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設備特點
適合用于Low-k、氮化鋁（AlN）、氧化鋁陶瓷等材料的激光開槽
適合用于硅、砷化鎵（GaAs）等材料，厚度200μm以下薄晶圓無崩邊高品質全切
8/12英寸兼容，支持納秒/皮秒
雙路多beam并行加工
實現10-90μm開槽寬度連續可調
可加工20μm以內超窄切割道
整機精度：＜±2μm
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