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MDpicts微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀

靈敏度：對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有**靈敏度

溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度

衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒

沾污檢測(cè)：電學(xué)陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等

重復(fù)性：> 99.5%，測(cè)量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次

靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長(zhǎng)激發(fā)光源

可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持

圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

圖2.不同缺陷的評(píng)價(jià) 圖3.Arrhenius曲線圖

從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。利用這種新型MDPpicts設(shè)備，可在20~500k范圍內(nèi)測(cè)量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導(dǎo)。Si， GaAs， InP， SiC和其他很多半導(dǎo)體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。