中國粉體網訊  日前，位于晉安湖“三創園”的福州高意首條第三代半導體碳化硅晶圓基片生產線進入規模量產，預計年產10萬片，產值可達5億元。該條碳化硅生產線量產后，第二條、第三條生產線也在加快建設，到明年底，福州高意碳化硅基片產能有望突破50萬片，產值達30億元。

高意生產線，來源：今日晉安

據了解，高意是由II-VI公司所組建的光電業務集團，其總部位于中國福州市，也是II-VI公司的亞洲及中國總部所在地。II-VI公司總部位于美國賓夕法尼亞州的薩克森堡，是全球領先的工程材料和光電器件制造商，為工業、光通訊、生命科學、半導體設備和消費電子等領域提供解決方案及相應產品。

以碳和硅組成的化合物半導體碳化硅為材料制作的功率半導體器件，因其所具備的優異性能與先進性，多年來一直作為“理想的元器件”而備受矚目。SiC功率元器件現已逐漸成為我們現代日常生活中所普遍使用的“身邊的”元器件。從技術的角度來說，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，所以對碳化硅功率器件來說，其上游襯底及外延制造是產業鏈上的兩大關鍵環節。

縱觀整個碳化硅襯底產業，美國占主導地位，Wolfspeed公司、II-VI公司占據了全球大部分市場份額，Wolfspeed公司占據領跑者的位置，最新消息顯示，其位于美國紐約州莫霍克谷的全球最大的8英寸碳化硅（SiC）制造工廠將于美國東部時間4月25日迎來盛大開業。II-VI公司排在全球第二，能夠提供 4 至 6 英寸導電型和半絕緣型晶片，并已成功研制 8 英寸導電型碳化硅晶片。同時，II-VI還是一家全球領先的代工廠，在直徑為2英寸至6英寸的晶圓上生產高性能外延材料，用于關鍵的光子和射頻半導體元件。

圖片來源：II-VI官網

2021年以來，高意加快了在中國擴產的步伐，以服務于全球最大的電動汽車（EV）和清潔能源應用市場。2021年4月15日，II-VI福州總部正式建立了用于SiC導電襯底的后段加工線。高意位于福州的新SiC工廠進行的后端SiC晶圓加工包括邊緣研磨、化學機械拋光、清洗和檢測，所有加工都在100級和1000級潔凈室進行。該工廠是高意已經宣布的計劃的一部分，該計劃將在5年內將其SiC基板的生產能力提高5到10倍，包括直徑200毫米的基板。

（中國粉體網編輯整理/山川）

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