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英國Oxford 反應離子刻蝕機PlasmaPro 800 RIE

概述：

PlasmaPro 800系列是結構緊湊、且使用方便的直開式系統，該系統為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產級別的批量以及300mm晶圓的工藝。

高性能工藝

準確的襯底溫度控制

準確的工藝控制

成熟的300mm單晶圓失效分析工藝

選項

PlasmaPro 800 PECVD

旨在生產高質量的均勻介質薄膜。PECVD 中的應力控制是由可選的或者混合的高/低頻等離子體源提供的， 使通過調整工藝得到具有張應力，壓應力或者低應力的沉積薄膜成為可能。

PlasmaPro 800 RIE/PE：在同一設備上結合了RIE的各向異性和 PE模式刻蝕的高選擇性。

PlasmaPro 800 RIE：成熟的干法刻蝕廣泛應用于整個工業領域。

特征：

為化合物半導體、光電子和光子學應用提供了大的工藝靈活性，PlasmaPro 800 可提供：

大型下電極 - 低成本

刻蝕終點監測 - 可靠性和可維護性俱佳

通過激光干涉儀與/或發射光譜進行終點監測 - 增強刻蝕控制

可選擇帶有4-、8-或12-條氣路的氣柜 - 可提供靈活的工藝和工藝氣體，可以與主機分離，放置在遠端服務區

近距離耦合渦輪泵 - 提供優越的泵送速度加快氣體的流動速度

數據記錄 - 追溯腔室的歷史狀態以及工藝條件

液體冷卻和/或電加熱電極 - 出色的電極溫度控制和穩定性

應用：

使用我們的具有特殊配置的失效分析設備進行干法刻蝕解剖工藝 —— 具有RIE和 PE兩種模式

RIE／PE工藝涵蓋了從封裝好的芯片和裸芯片到整片300mm晶圓刻蝕

高質量的PECVD 沉積的SiNx和SiO2薄膜 ，適用于光子學、介電層鈍化和諸多其它領域

SiO2，SiNx和石英刻蝕

金屬和聚酰亞胺有機物刻蝕

用于高亮度LED生產的鈍化沉積

III-V族刻蝕工藝