參考價格
面議型號
鎢燈絲掃描電子顯微鏡 SEM3200品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無探測器:
-加速電壓:
-電子槍:
-電子光學(xué)放大:
-光學(xué)放大:
-分辨率:
-看了鎢燈絲掃描電子顯微鏡 SEM3200的用戶又看了
虛擬號將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號
SEM3200是一款高性能、應(yīng)用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質(zhì)量、可兼容低真空模式、在不同的視場范圍下均可得到高分辨率圖像。
大景深,成像富有立體感。豐富的擴展性,助您在顯微成像的世界中盡情探索。
碳材料樣品,低電壓下,穿透深度較小,可以獲取樣品表面真實形貌,細(xì)節(jié)更豐富。 毛發(fā)樣品,在低電壓下,電子束輻照損傷減小,同時消除了荷電效應(yīng)。 過濾纖維管材料,導(dǎo)電性差,在高真空下荷電明顯,在低真空下,無需鍍膜即可實現(xiàn)對不導(dǎo)電樣品的直接觀察。 生物樣品,采用大視場觀察,能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié),展現(xiàn)跨尺度分析。 想看哪里點哪里,導(dǎo)航更輕松 可通過雙擊移動、鼠標(biāo)中鍵拖動、框選放大,進(jìn)行快捷導(dǎo)航 采取多維度的防碰撞方案: 直觀反映整個視野的像散程度,通過鼠標(biāo)點擊清晰處,可快速調(diào)節(jié)像散至**。 一鍵聚焦,快速成像。 一鍵消像散,提高工作效率。 一鍵自動亮度對比度,調(diào)出灰度合適圖像。 SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像??赏瑫r觀察到樣品的形貌信息和 拖動一條線,圖像立刻“擺正角度”。 掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察,更可以進(jìn)行樣品表面的微區(qū)成分分析。 背散射電子成像模式下,荷電效應(yīng)明顯減弱,并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。 鍍層樣品: 鎢鋼合金樣品: 探測器設(shè)計精巧,靈敏度高,采用4分割設(shè)計,無需傾斜樣品,可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。 四個單通道的陰影像 成分像 LED小燈珠能譜面分析結(jié)果。 鎢燈絲電鏡束流大,完全滿足高分辨EBSD的測試需求,能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。 低電壓
低真空
大視場
導(dǎo)航&防碰撞
光學(xué)導(dǎo)航
標(biāo)配倉內(nèi)攝像頭,可拍攝高清樣品臺照片,快速定位樣品。手勢快捷導(dǎo)航
如框選放大:在低倍導(dǎo)航下,獲得樣品的大視野情況,可快速框選您感興趣的樣品區(qū)域,提高工作效率。防碰撞技術(shù)
1. 手動輸入樣品高度,精準(zhǔn)控制樣品與物鏡下端距離,防止發(fā)生碰撞;
2. 基于圖像識別和動態(tài)捕捉技術(shù),運動過程中對倉內(nèi)的畫面進(jìn)行實時監(jiān)測;
3. 硬件防碰撞,可在碰撞一瞬間停止電機,減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能) 特色功能
智能輔助消像散
自動聚焦
自動消像散
自動亮度對比度
多種信息同時成像
成分信息。快速圖像旋轉(zhuǎn)
豐富拓展性
SEM3200接口豐富,除支持常規(guī)的二次電子探測器(ETD)、背散射電子探測器(BSED)、X射線能譜儀(EDS)外,也預(yù)留了諸多接口,如電子背散射衍射(EBSD)、陰極射線(CL)等探測器都可以在SEM3200上進(jìn)行集成。背散射電子探測器
二次電子成像和背散射電子成像對比四分割背散射電子探測器——多通道成像
能譜
電子背散射衍射
該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖,能夠識別晶粒大小和取向,判斷晶界和孿晶,對材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。
暫無數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因為具有良好的抗粘性、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點,被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
用戶成就隨著全球人口的增長和經(jīng)濟的發(fā)展,大量的能源消耗和碳排放總量的不斷增加給環(huán)境帶來了巨大的壓力。到2022年,建筑約占全球能源消耗的34%,占能源相關(guān)二氧化碳排放量的37%。窗戶被認(rèn)為是建筑物中最
3月26日-28日全球半導(dǎo)體行業(yè)旗艦展覽SEMICON China如約而至!國儀量子攜聚焦離子束電子束雙束顯微鏡閃亮登場為您帶來半導(dǎo)體領(lǐng)域微納加工的全新方案!上海新國際博覽中心N5館 5421展臺國儀
3月18日,由南京醫(yī)科大學(xué)附屬口腔醫(yī)院、江蘇省口腔轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)工程研究中心和國儀量子技術(shù)(合肥)股份有限公司共同主辦,常州隆斯克普電子科技有限公司協(xié)辦的“國儀電鏡論壇暨南京醫(yī)科大學(xué)附屬口腔醫(yī)院電子顯微技術(shù)
國儀量子電鏡在晶圓背面研磨亞表面損傷評估的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓作為基礎(chǔ)材料,其質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能與成品率。隨著芯片制造工藝不斷向小型化、高性能化發(fā)展,對晶圓的質(zhì)量要求愈發(fā)嚴(yán)
國儀量子電鏡在硅外延層堆垛層錯密度統(tǒng)計的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,硅外延層作為構(gòu)建高性能芯片的核心材料,其質(zhì)量優(yōu)劣直接關(guān)乎芯片的性能表現(xiàn)。硅外延生長技術(shù)通過在硅襯底上精確生長一層
國儀量子電鏡在硅晶圓表面 CMP 劃痕檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅晶圓作為集成電路的基礎(chǔ)材料,其表面質(zhì)量對芯片的性能和成品率起著決定性作用。隨著芯片制造工藝不斷向更小的特征尺寸發(fā)展,