參考價(jià)格
面議型號(hào)
F-Sorb 2400品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無(wú)誤差率:
/分辨率:
/重現(xiàn)性:
/儀器原理:
靜態(tài)容量法分散方式:
/測(cè)量時(shí)間:
/測(cè)量范圍:
/看了氮吸附儀的用戶又看了
虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
氮吸附儀F-Sorb 2400是目前國(guó)內(nèi)**完全自動(dòng)化,智能化的BET法比表面積測(cè)量?jī)x器,由金埃譜科技與兵器系統(tǒng)合作研發(fā),秉承兵器行業(yè)高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求的技術(shù)宗旨,依據(jù)國(guó)際經(jīng)典比表面積檢測(cè)理論和原理,采用國(guó)內(nèi)外通用比表面積檢測(cè)方法,符合國(guó)際比表面積檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),顯著提高產(chǎn)品穩(wěn)定性和使用壽命,測(cè)試結(jié)果更準(zhǔn)確,操作簡(jiǎn)單快捷,大大降低測(cè)試人員工作量
全自動(dòng)氮吸附儀性能參數(shù)
測(cè)試方法:BET法比表面積(多點(diǎn)及單點(diǎn))檢測(cè),Langmuir比表面積檢測(cè),炭黑外比表面積檢測(cè),直接對(duì)比法比表面積檢測(cè),連續(xù)流動(dòng)法,樣品吸附常數(shù)C測(cè)定
測(cè)試功能:F-Sorb智能化測(cè)試模式,無(wú)人干預(yù)全自動(dòng)測(cè)試,消除人為操作誤差,提高測(cè)試精度
測(cè)量范圍:0.01(㎡/g)--至無(wú)上限(比表面積)
流量調(diào)節(jié):F-Sorb**功能,實(shí)現(xiàn)不同P/Po點(diǎn)流量軟件控制自動(dòng)調(diào)節(jié),無(wú)需人工手動(dòng)調(diào)節(jié)流量
定量標(biāo)定:F-Sorb型定量氣路由軟件控制,按需自動(dòng)切換脫附,無(wú)需人工手動(dòng)操控定量開(kāi)關(guān),提高定量標(biāo)定精度
控制系統(tǒng):獨(dú)有的集中的多功能控制系統(tǒng),能實(shí)現(xiàn)測(cè)試過(guò)程的完全自動(dòng)化及智能化,測(cè)試期間無(wú)需任何人工干預(yù),儀器自動(dòng)執(zhí)行測(cè)試
樣品數(shù)量:可同時(shí)進(jìn)行4個(gè)樣品的吸附或脫附測(cè)定
測(cè)試壓力:常壓下進(jìn)行,無(wú)需抽真空,有利于快速的比表面積檢測(cè)
測(cè)試精度:測(cè)量重復(fù)性誤差≤2%;≤1.5%直接對(duì)比法
樣品類型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等,適用于幾乎所有樣品比表面積檢測(cè),應(yīng)用廣泛 測(cè)試氣體:載氣為高純He氣(99.99%),吸附質(zhì)為高純N2(99.99%)或其它(按需選擇如Ar,Kr)
管路密封:采用高真空系統(tǒng)不銹鋼管路,高密封性能,有效防止氣體分子滲透導(dǎo)致的比表面積檢測(cè)誤差;同時(shí)不銹鋼管不存在老化問(wèn)題,大大提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命
測(cè)試時(shí)間:每樣品每 P/P0點(diǎn)吸附和脫附平均時(shí)間為5分鐘(視樣品吸附特性變化),四個(gè)樣品分析平均時(shí)間20分鐘左右(同時(shí)可測(cè)四個(gè)樣品),比表面積結(jié)果自動(dòng)由軟件實(shí)時(shí)得出
數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集及處理芯片,誤差小,抗干擾能力強(qiáng)
數(shù)據(jù)處理:BET單點(diǎn)及多點(diǎn)線性擬合圖,圖形化數(shù)據(jù)分析結(jié)果報(bào)表,可根據(jù)需要選擇中英文格式結(jié)果報(bào)表.分析與數(shù)據(jù)處理可同時(shí)進(jìn)行,檢測(cè)結(jié)果實(shí)時(shí)顯示,詳細(xì)的自動(dòng)操作步驟記錄及數(shù)據(jù)隨測(cè)試結(jié)果文件保存
全自動(dòng)氮吸附儀特點(diǎn)
A.結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
1)簡(jiǎn)潔緊湊的外觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),節(jié)省空間;可拆卸前面板防護(hù)罩,有效防止液氮濺灑安全隱患,同時(shí)降低環(huán)境因素對(duì)比表面積檢測(cè)過(guò)程的影響
2)采用全不銹鋼管路系統(tǒng),提高密封性能,有效防止氣體分子滲透導(dǎo)致的比表面積檢測(cè)誤差;同時(shí)不銹鋼管不存在老化問(wèn)題,可靠性和壽命大大提高
3)模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有利于根據(jù)用戶比表面積測(cè)試需求按需配置及后期功能擴(kuò)展
B.控制系統(tǒng)
1)采用先進(jìn)的控制技術(shù),集中的多功能控制系統(tǒng),一體化電機(jī)螺桿升降系統(tǒng),比表面積檢測(cè)過(guò)程中液氮容器升降更平穩(wěn)
2)**的電橋平衡電路,大幅提高信號(hào)電壓靈敏度,同時(shí)實(shí)現(xiàn)信號(hào)零點(diǎn)漂移自動(dòng)平衡,有利于實(shí)現(xiàn)比表面積檢測(cè)定的自動(dòng)化
3)完整的自動(dòng)化操作設(shè)計(jì),徹底實(shí)現(xiàn)比表面積分析測(cè)試過(guò)程智能化,無(wú)需人工干預(yù)或看守,大大降低測(cè)定人員工作量,提高工作效率
C.數(shù)據(jù)采集及處理
1)高精度數(shù)據(jù)采集、信號(hào)放大及A/D轉(zhuǎn)換系統(tǒng)高度集成化,抗干擾能力強(qiáng),實(shí)時(shí)性高,有利于降低比表面積儀的比表面積檢測(cè)過(guò)程受環(huán)境因素的影響
2)自主開(kāi)發(fā)的Windows兼容數(shù)據(jù)處理軟件,功能完善,用戶界面靈活定制,操作簡(jiǎn)單易懂;**的比表面積數(shù)據(jù)處理模型,有效消除系統(tǒng)誤差,提高比表面積檢測(cè)精度
3)數(shù)據(jù)報(bào)告按需定制,多種形式的數(shù)據(jù)分析模式,方便用戶研究比表面積檢測(cè)結(jié)果;強(qiáng)大的分析測(cè)試數(shù)據(jù)歸檔保存,查詢系統(tǒng),有利于用戶數(shù)據(jù)管理
D.測(cè)試優(yōu)化
1)針對(duì)不同范圍樣品比表面積檢測(cè)要求,可"因地制宜"選擇合適的儀器參數(shù)設(shè)置,有利于提高比表面積檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確度
2)靈活的直接對(duì)比法比表面積測(cè)試與BET法比表面積測(cè)試轉(zhuǎn)換,簡(jiǎn)化操作流程,提高比表面積測(cè)試效率 "分享技術(shù)與應(yīng)用,成就科技與業(yè)務(wù)"更多的比表面積及孔徑(孔隙度)檢測(cè)技術(shù)及產(chǎn)品信息,敬請(qǐng)參閱我們的網(wǎng)站
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承浴⒃隽餍院蜐?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
3月19日-23日,“國(guó)儀量子電子順磁共振用戶培訓(xùn)會(huì)”在合肥量子科儀谷成功舉行。本次培訓(xùn)會(huì)旨在為電子順磁共振技術(shù)的交流與學(xué)習(xí)搭建優(yōu)質(zhì)平臺(tái),聚焦解決用戶在EPR儀器使用過(guò)程中遇到的實(shí)際問(wèn)題,全方位提升用
用戶成就隨著全球人口的增長(zhǎng)和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,大量的能源消耗和碳排放總量的不斷增加給環(huán)境帶來(lái)了巨大的壓力。到2022年,建筑約占全球能源消耗的34%,占能源相關(guān)二氧化碳排放量的37%。窗戶被認(rèn)為是建筑物中最
3月26日-28日全球半導(dǎo)體行業(yè)旗艦展覽SEMICON China如約而至!國(guó)儀量子攜聚焦離子束電子束雙束顯微鏡閃亮登場(chǎng)為您帶來(lái)半導(dǎo)體領(lǐng)域微納加工的全新方案!上海新國(guó)際博覽中心N5館 5421展臺(tái)國(guó)儀
國(guó)儀量子電鏡在晶圓背面研磨亞表面損傷評(píng)估的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓作為基礎(chǔ)材料,其質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能與成品率。隨著芯片制造工藝不斷向小型化、高性能化發(fā)展,對(duì)晶圓的質(zhì)量要求愈發(fā)嚴(yán)
國(guó)儀量子電鏡在硅外延層堆垛層錯(cuò)密度統(tǒng)計(jì)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,硅外延層作為構(gòu)建高性能芯片的核心材料,其質(zhì)量?jī)?yōu)劣直接關(guān)乎芯片的性能表現(xiàn)。硅外延生長(zhǎng)技術(shù)通過(guò)在硅襯底上精確生長(zhǎng)一層
國(guó)儀量子電鏡在硅晶圓表面 CMP 劃痕檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅晶圓作為集成電路的基礎(chǔ)材料,其表面質(zhì)量對(duì)芯片的性能和成品率起著決定性作用。隨著芯片制造工藝不斷向更小的特征尺寸發(fā)展,