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面議型號
場發射掃描電鏡 SEM4000Pro品牌
國儀量子產地
北京樣本
暫無探測器:
旁側二次電子探測器(ETD) 低真空二次電子探測器(LVD) 插入式背散射電子探測器(BSED)加速電壓:
200 V ~ 30 kV電子槍:
肖特基熱場發射電子槍電子光學放大:
1 ~ 1,000,000 x光學放大:
-分辨率:
0.9 nm @ 30 kV,SE看了場發射掃描電鏡 SEM4000Pro的用戶又看了
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SEM4000Pro是一款分析型熱場發射掃描電子顯微鏡,配備了高亮度、長壽命的肖特基場發射電子槍。三級磁透鏡設計,束流**可達200 nA,在EDS、EBSD、WDS等應用上具有明顯優勢。標配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器,可觀察導電性弱或不導電樣品。標配的光學導航模式,以及直觀的操作界面,讓您的分析工作倍感輕松。
01配備高亮度、長壽命的肖特基熱場發射電子槍
02分辨率高,30 kV 下優于 0.9 nm 的極限分辨率
03三級磁透鏡設計,束流可調范圍大,**支持 200 nA 的分析束流
04無漏磁物鏡設計,可直接觀察磁性樣品
05標配低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器和插入式背散射電子探測器
06標配的光學導航模式,中文操作軟件,讓分析工作更輕松
應用案例
產品參數
關鍵參數 高真空分辨率 0.9 nm @ 30 kV,SE 低真空分辨率 2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa 1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa 加速電壓 200 V ~ 30 kV 放大倍率 1 ~ 1,000,000 x 電子槍類型 肖特基熱場發射電子槍 樣品室 真空系統 全自動控制 低真空模式 **180 Pa 攝像頭 雙攝像頭 (光學導航+樣品倉內監控) 行程 X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm T: -10°~+70°,R: 360° 探測器和擴展 標配 旁側二次電子探測器(ETD) 低真空二次電子探測器(LVD) 插入式背散射電子探測器(BSED) 選配 能譜儀(EDS) 背散射衍射(EBSD) 插入式掃描透射探測器(STEM) 樣品交換倉 軌跡球&旋鈕控制板 軟件 語言 中文 操作系統 Windows 導航 光學導航、手勢快捷導航 自動功能 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散
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摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應用的藥物輔料,因為具有良好的抗粘性、增流性和潤滑性在制劑生產中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點,被廣泛應用于電子工業、汽車工業、紡織、化工、航空航天等國民經濟的各個領域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結構,是掃描電鏡重要的應用領
2022-09-27
用戶成就隨著全球人口的增長和經濟的發展,大量的能源消耗和碳排放總量的不斷增加給環境帶來了巨大的壓力。到2022年,建筑約占全球能源消耗的34%,占能源相關二氧化碳排放量的37%。窗戶被認為是建筑物中最
3月26日-28日全球半導體行業旗艦展覽SEMICON China如約而至!國儀量子攜聚焦離子束電子束雙束顯微鏡閃亮登場為您帶來半導體領域微納加工的全新方案!上海新國際博覽中心N5館 5421展臺國儀
3月18日,由南京醫科大學附屬口腔醫院、江蘇省口腔轉化醫學工程研究中心和國儀量子技術(合肥)股份有限公司共同主辦,常州隆斯克普電子科技有限公司協辦的“國儀電鏡論壇暨南京醫科大學附屬口腔醫院電子顯微技術
國儀量子電鏡在晶圓背面研磨亞表面損傷評估的應用報告一、背景介紹在半導體制造流程中,晶圓作為基礎材料,其質量直接關乎芯片的性能與成品率。隨著芯片制造工藝不斷向小型化、高性能化發展,對晶圓的質量要求愈發嚴
國儀量子電鏡在硅外延層堆垛層錯密度統計的應用報告一、背景介紹在半導體產業蓬勃發展的當下,硅外延層作為構建高性能芯片的核心材料,其質量優劣直接關乎芯片的性能表現。硅外延生長技術通過在硅襯底上精確生長一層
國儀量子電鏡在硅晶圓表面 CMP 劃痕檢測的應用報告一、背景介紹在半導體制造領域,硅晶圓作為集成電路的基礎材料,其表面質量對芯片的性能和成品率起著決定性作用。隨著芯片制造工藝不斷向更小的特征尺寸發展,