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SiC邁進(jìn)12英寸!三家企業(yè)正布局


來源:中國(guó)粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  三家企業(yè)布局12英寸碳化硅。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,其晶圓尺寸的演進(jìn)一直是產(chǎn)業(yè)降本增效的關(guān)鍵路徑。當(dāng)前產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)呈現(xiàn)出“6英寸主流、8英寸過渡、12英寸突破”的階梯式發(fā)展格局,技術(shù)迭代速度遠(yuǎn)超預(yù)期。


浙江晶瑞:實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)


5月12日,晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞Super SiC宣布,成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng),首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好。


浙江晶瑞首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅(SiC)單晶


浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發(fā)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及持續(xù)迭代升級(jí)的8-12英寸長(zhǎng)晶工藝,經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān),創(chuàng)新晶體生長(zhǎng)溫場(chǎng)設(shè)計(jì)及氣相原料分布工藝,成功攻克12英寸SiC晶體生長(zhǎng)中的溫場(chǎng)不均、晶體開裂等核心難題,實(shí)現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長(zhǎng)的重要突破。



浙江晶瑞SuperSiC始終專注于碳化硅、藍(lán)寶石等化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn)與銷售,致力于為功率半導(dǎo)體器件提供高品質(zhì)的襯底和熱沉材料。目前,公司自主研發(fā)的8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),其8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底,憑借微管密度(MP<0.05ea/cm2)和位錯(cuò)密度(TSD<10ea/cm2, BPD<300ea/cm2)的低缺陷技術(shù)指標(biāo),成為高壓功率器件的理想選擇。


南砂晶圓:發(fā)布12英寸導(dǎo)電型SiC襯底


近日,南砂晶圓展示了12英寸導(dǎo)電型SiC襯底等重點(diǎn)產(chǎn)品。



值得注意的是,南砂晶圓還成功實(shí)現(xiàn)了近“零螺位錯(cuò)”密度和低基平面位錯(cuò)密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備。這一技術(shù)進(jìn)步不僅提升了產(chǎn)品的可靠性和性能,也為國(guó)產(chǎn)8英寸導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。


2018年,依托山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室徐現(xiàn)剛教授團(tuán)隊(duì)的技術(shù)成果,南砂晶圓于廣州市南沙區(qū)注冊(cè)成立。目前擁有廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地,形成了完整的碳化硅單晶生長(zhǎng)和襯底制備生產(chǎn)線,產(chǎn)品還包括6英寸和8英寸的導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底。


山東力冠:加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備


近日,山東力冠在12英寸SiC長(zhǎng)晶爐領(lǐng)域取得了重要突破。公司公開表示,已攻克12英寸PVT電阻加熱長(zhǎng)晶爐的研發(fā)難關(guān),并于近期完成首批兩臺(tái)設(shè)備的交付。同時(shí),該公司正加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備。隨著12英寸電阻法長(zhǎng)晶系統(tǒng)的商業(yè)化突破,山東力冠計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)12英寸設(shè)備的批量供貨,助力國(guó)產(chǎn)碳化硅材料進(jìn)入全球供應(yīng)鏈第一梯隊(duì)。


公司自主研發(fā)的8英寸PVT碳化硅長(zhǎng)晶爐已實(shí)現(xiàn)批量銷售,涵蓋感應(yīng)加熱與電阻加熱兩種技術(shù)路線,可靈活適配導(dǎo)電型與半絕緣型碳化硅晶體的生長(zhǎng)需求。


山東力冠自成立以來,始終聚焦半導(dǎo)體材料工藝裝備的研發(fā)與生產(chǎn)。公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)匯聚了半導(dǎo)體材料、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、精密加工等領(lǐng)域的專家型人才,形成了覆蓋第一代至第四代半導(dǎo)體材料工藝裝備的完整產(chǎn)品線,包括PVT單晶生長(zhǎng)設(shè)備、HVPE設(shè)備、SiC籽晶粘接設(shè)備等核心產(chǎn)品。


來源:各企業(yè)官微




(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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