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SiC長晶設備

推薦SiC邁進12英寸!三家企業正布局

中國粉體網訊 碳化硅(SiC)作為第三代半導體的核心材料,其晶圓尺寸的演進一直是產業降本增效的關鍵路徑。當前產業動態呈現出“6英寸主流、8英寸過渡、12英寸突破”的階梯式發展格局,技術迭代速度遠超預期。浙江晶瑞:實現12英寸[更多]

資訊 第三代半導體SiC單晶SiC襯底SiC長晶設備12英寸碳化硅
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