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這樣的石英坩堝還不選,你糊涂啊


來源:中國粉體網(wǎng)   初末

[導讀]  四大角度考量,選擇高性能石英坩堝。

中國粉體網(wǎng)訊  石英坩堝是石英玻璃制品中的細分產(chǎn)品,由高純石英砂通過模具定型,使用電弧熔融法高溫制作而成。石英坩堝具有耐高溫、使用時間長、高純度等特點,是主要用于半導體和光伏高純單晶硅棒的拉制的輔助性耗材,是單晶硅棒拉制過程中用于盛裝熔融硅液的關鍵性消耗品。



眾所周知,石英坩堝綜合品質(zhì)的好壞直接影響單晶硅生產(chǎn)的材料成本和加工成本,低品質(zhì)的石英坩堝會擾亂單晶硅的生長過程,影響晶體的純度和質(zhì)量,增加硅棒的缺陷,降低單晶硅的成晶率。


那么,我們要從哪幾個方面入手選擇高品質(zhì)的石英坩堝呢?


雜質(zhì)含量


雜質(zhì)的引入對單晶性能和成品率構成直接的影響,因此與硅熔體直接接觸的石英坩堝的雜質(zhì)含量至關重要,石英坩堝內(nèi)表層的雜質(zhì)會擴散到硅液中,進而影響到單晶硅棒的導電性。而坩堝所用原料高純石英砂是石英坩堝純度的基礎。


石英砂中的堿金屬雜質(zhì)如Li、Na、K等會影響石英坩堝的耐溫性,降低其熔點,導致高溫性能變差;雜質(zhì)含量高會導致石英坩堝產(chǎn)生氣泡和色斑等缺陷,降低石英坩堝的透明度,嚴重時還會影響石英坩堝的成型過程;雜質(zhì)含量高的石英坩堝高溫強度低,易變形,直接對單晶拉制構成影響,比如坩堝上口內(nèi)塌造成與導流筒碰撞而阻斷正常拉晶。




由于采用低檔次石英砂或者在生產(chǎn)制程中的污染而帶來的坩堝中的雜質(zhì)含量過高,往往會帶來石英坩堝在本體上的析晶,如果析晶靠近內(nèi)表面,則由于局部的析晶殼層過厚而極易脫落使單晶拉制無法繼續(xù)。如果析晶造成外壁較厚的析晶,這種現(xiàn)象往往伴隨著坩堝外壁在析晶前期已經(jīng)過度軟化貼緊石墨坩堝,而極易產(chǎn)生在底部或者弧度的鼓包現(xiàn)象。如果這種析晶有可能貫穿坩堝本體的話,就會引起漏硅等一系列嚴重后果。


羥基


石英砂中的羥基含量會影響石英坩堝的耐高溫性能,羥基缺陷會破壞Si-O鍵,導致結構疏松度增加,化學穩(wěn)定性降低。坩堝中的羥基(-OH)是對坩堝強度影響的核心因素,由于羥基的存在,改變了SiO2的鍵合結構,致使坩堝的耐溫性能大幅降低,例如坩堝中的羥基含量超過150ppm,1050攝氏度就會開始軟化變形,無法正常使用。坩堝中的羥基含量主要與坩堝制備所選取的工藝路線直接相關(其次與環(huán)境濕度以及原料選取等有關)。


氣液包裹體



石英砂中的氣液包裹體在高溫熔制石英玻璃的過程中,H2O能與SiO2熔體發(fā)生反應,使得羥基含量增高,造成氣泡增加。坩堝最內(nèi)表層是指透明層中最靠近內(nèi)表面1-2mm的部分。在使用過程中,坩堝對硅液起作用的機理——由于與硅液接觸的內(nèi)表面不斷向硅液中熔解,并且伴隨著透明層中的微氣泡不斷的長大,靠近最內(nèi)表面的氣泡破裂,伴隨著硅液釋放石英微顆粒以及微氣泡。而這些雜質(zhì)會以微顆粒以及微氣泡的形式伴隨著硅液流遍整個硅熔體,直接影響到硅的成晶(整棒率、成晶率、加熱時間、直接加工成本)以及單晶硅的質(zhì)量(穿孔片、黑芯片等)。


粒度


粒形一致的石英砂有助于制造出均勻性和一致性更好的石英坩堝,這對于保證單晶硅生長過程中的溫度和速度控制至關重要,直接影響到單晶硅的質(zhì)量和產(chǎn)量。



首先,粒形均勻的石英砂有助于減少氣泡和氣液包裹體的含量,從而減少在單晶硅生長過程中氣泡破裂釋放的微顆粒和氣體,避免對硅熔體造成污染;粒形均勻的石英砂更容易進行提純,減少雜質(zhì)含量;粒形均勻的石英砂可以通過優(yōu)化的工藝路線減少羥基含量。


其次,石英砂的粒形影響其堆積密度和顆粒間的接觸面積,這直接關系到石英坩堝的強度和高溫下的穩(wěn)定性。粒形均勻、大小適中的石英砂能夠提高石英坩堝的機械強度,減少在高溫下的形變和破裂風險,從而延長坩堝的使用壽命。


另外,石英砂的粒形影響坩堝內(nèi)壁的光滑度和均勻性,粒形均勻的石英砂有助于形成光滑的坩堝內(nèi)壁,減少晶體生長過程中的缺陷,提高單晶硅的品質(zhì)。


小結


石英坩堝是拉制單晶硅的重要輔材,石英坩堝的品質(zhì)和純度直接影響硅棒中的雜質(zhì)含量,進而影響硅片的品質(zhì)穩(wěn)定性。現(xiàn)階段,單晶技術要求坩堝朝長壽命、大尺寸、低成本、高純度及品質(zhì)一致性的方向發(fā)展,這也要求其石英砂原料高純度、包裹體少、粒度均勻、低羥基含量、品質(zhì)具有穩(wěn)定性,從而減少石英坩堝生產(chǎn)過程中的質(zhì)量缺陷。


參考來源:

《光伏單晶硅生長用石英坩堝高純內(nèi)層砂》(征求意見稿)

孫紅娟.坩堝用石英砂的工藝特征及高純石英砂制備技術

胡澤晨.石英砂的提純技術現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

王向東.光伏直拉單晶對于石英坩堝及石英砂的產(chǎn)業(yè)化需求


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末)

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