中國粉體網訊  4月5日，據國家知識產權局公告，華為技術有限公司申請一項名為“擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法”專利，申請公布號為CN117822097A，申請日期為2022年9月28日。

來源：國家知識產權局

該專利摘要顯示，本申請實施例公開了一種擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法，涉及碳化硅晶體技術領域，有效改善晶體質量。具體方案為：于晶體生長爐內設置擋板，該擋板的通道可改變爐體內氣相源的運動方向，將氣相源的運動方向改變為斜向上，使氣相源朝向籽晶的小面運動。本申請實施例可提高晶體的生長速度，提高晶體的厚度和質量，降低微管密度。另外，選用低密度石墨作為擋板的材料，當通道被封堵后，低密度石墨內的孔隙可以供氣體通過，能進一步降低晶體內包裹物的含量，提高晶體質量。

這些年，華為正在全力布局SiC產業。

2021年9月底，華為發布了《數字能源2030》白皮書，華為強調，未來十年是第三代功率半導體的創新加速期，滲透率將全面提升。而碳化硅產業鏈爆發的拐點臨近，市場潛力將被充分挖掘。

可以看出，華為自是不會放過SiC這塊“肥肉”，這些年從電驅、充電樁，到襯底、外延、器件制造，華為基本投資了一整條SiC產業鏈。

SiC襯底：山東天岳和北京天科合達

天岳先進

早在2019年8月，華為旗下子公司——哈勃科技創業投資有限公司（哈勃投資），就參與了天岳先進的A輪融資。截至2022年末，哈勃投資持有上市公司股權比例為6.34%，位列天岳先進第四大股東。

天岳先進成立于2010年，是一家寬禁帶半導體（第三代半導體）襯底材料生產商。主要產品包括半絕緣型和導電型SiC襯底。經過十余年發展，公司已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環節的核心技術，自主研發了不同尺寸半絕緣型及導電型SiC襯底制備技術。2023年天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業內首創。目前，在全球導電型碳化硅襯底材料市場，天岳先進超過高意躍居全球第二。而在半絕緣型碳化硅襯底材料市場，根據YOLE報告，截至2022年，天岳先進市場占有率連續四年保持全球前三。

天科合達

2019年10月，哈勃投資了北京天科合達半導體股份有限公司（簡稱：天科合達），在發行前哈勃投資為天科合達的第五大股東，持股比例為4.82%。

天科合達成立于2006年9月，是從事第三代半導體材料——碳化硅晶片及相關產品研發、生產和銷售的高新技術企業。公司目前擁有北京總部基地、北京研發中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產業涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。據YOLE集團發布報告，2021至2022年，全球碳化硅襯底市場實現快速增長，在2022年全球襯底市場規模達到6.92億美元。同時，YOLE集團還對國內碳化硅襯底的市場占有率進行評估，認為天科合達導電襯底2022年在國內占據60%左右的市場份額。

SiC外延：瀚天天成和天域半導體

瀚天天成

2020年12月，哈勃突擊入股瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（簡稱：瀚天天成），現持股比例為4.197%。

瀚天天成成立于2011年，是一家中美合資企業，主要從事碳化硅外延晶片的研發、生產及銷售，外延晶片月產能約4萬片。瀚天天成是國內首家實現商業化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片批量供應的生產商，同時也是國內少數獲得汽車質量認證（IATF 16949）的碳化硅外延生產商之一。根據CASA統計數據，按外銷市場和自供市場全球出貨量統計（等效6英寸），瀚天天成2022年全球市場占有率約為19%；按外銷市場出貨量統計（等效6英寸），瀚天天成2022年全球市場占有率約為38%。瀚天天成的6英寸碳化硅外延晶片主要為N型外延片，廣泛應用于新能源車、光伏領域所需碳化硅功率器件的生產制造。

目前，瀚天天成已經實現了國產更大尺寸，8英寸碳化硅外延片技術的突破并已經獲得了客戶的正式訂單。

天域半導體

2021年7月，廣東天域半導體股份有限公司（簡稱“天域半導體”）獲得華為哈勃的天使輪融資。

天域半導體成立于2009年，坐落在中國第三代半導體南方重鎮東莞，是一家專業從事第三代半導體SiC外延晶片研發、生產和銷售的國家高新技術企業。同時，其也是中國第一家獲得汽車質量認證(IATF 16949) 的碳化硅半導體材料供應鏈的企業。2012年天域半導體完成了N型外延片研發；2013年又完成P型外延片的研發，并開始向客戶供應P型碳化硅外延片；2014年公司6英寸外延片研發成功，正式向客戶供貨；2018年公司新引進生產線調試完成，4英寸、6英寸碳化硅外延片產能達到量產規模。

目前，天域半導體在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD，已實現4、6英寸外延片全系列產品的量產，并提前布局國內8英寸碳化硅外延片工藝線的建設及相關工藝技術，正積極突破研發8英寸SiC工藝關鍵技術。

SiC器件：東微半導體

2020年7月，華為哈勃投資了東微半導體股份有限公司（簡稱東微半導體），華為哈勃持股4.94%。

東微半導體成立于2008年，是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體企業，產品專注于工業及汽車相關等中大功率應用領域，是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業級領域的高壓超級結和中低壓功率器件產品領域實現了國產化替代。

SiC設備：特思迪

2022年2月，北京特思迪半導體設備有限公司（簡稱：特思迪）獲得華為哈勃投資，持股比例達到10%。

特思迪成立于2020年，是一家專注于半導體領域表面加工設備的研發、生產和銷售，針對半導體襯底材料、半導體器件、先進封裝、MEMS等領域，產品包括減薄機、拋光機、CMP以及貼蠟/清洗/刷洗等機器。在2023年，特思迪持續發力SiC襯底行業磨拋設備，不斷提升6英寸機臺的工藝指標，并且開發8英寸碳化硅磨拋工藝和設備。就在2023年5月，特思迪減薄-拋光-CMP設備生產二期項目簽約落地北京市順義區。

SiC耗材：德智新材

2021年9月，深圳哈勃入股湖南德智新材料有限公司（簡稱“德智新材”），認繳出資額為294.39萬元，持股比例為16.66%。

德智新材是一家專業從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發、生產和銷售的高新技術企業。公司致力于高制程半導體生產關鍵耗材的生產，擁有國內領先的技術、設備和高水平研發團隊，是國內頭部的SiC涂層石墨基座、SiC蝕刻環供應商。2020年，德智新材自主設計的國內最大化學氣相沉積設備正式投入使用，SiC涂層石墨基座順利實現產業化，成為國內半導體行業突破國外技術壟斷的關鍵產品之一。

目前，德智新材半導體用SiC蝕刻環項目已率先在國內實現了量產交付。產能方面，德智新材半導體用碳化硅蝕刻環項目于2022年6月完成了主體工程建設。該項目總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。

來源：

電子發燒網、粉體網

半導體行業觀察：SiC整條產業鏈，華為投全了

市值風云：華為、寧德站臺，神秘客戶抬愛，擴產如火如荼，“碳化硅第一股”天岳先進：值得擁有嗎？

（中國粉體網編輯整理/空青）

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