中國粉體網訊  據昭和電工官網消息，公司已開始大規模生產直徑為6英寸（150毫米）的碳化硅單晶片，用作SiC外延晶片的襯底材料，以加工并安裝到SiC基功率半導體（SiC功率半導體）中。

圖片來源：昭和電工官網

碳化硅是第三代化合物半導體的典型代表，具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優勢，廣泛應用于電力電子與射頻等下游。碳化硅材料相比硅基材料具有寬禁帶、電子飽和漂移速率高、熱導系數高和熔點高等優勢，可有效突破傳統硅基半導體器件及其材料的物理極限，作為襯底開發出更適應高溫、高壓、高頻率和大功率等條件的半導體器件，廣泛應用于新能源車、光伏及射頻領域。半導體器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需要先在襯底上生長氮化鎵或碳化硅外延層，得到外延片，再在外延片上制作適用于射頻或電子電力領域的器件。

昭和電工作為SiC外延片的獨立供應商，一直為功率器件制造商提供一流的SiC外延片，在全球市場占有率較高。昭和電工從2012年至2019年，先后6次擴大碳化硅外延片產能。2012年9月，昭和電工將4英寸碳化硅外延片的產能提高了2.5倍，達到每月1500片，并宣布將加快6英寸碳化硅外延片的開發。2016年6月，昭和電工繼續擴大碳化硅外延片產能，并開始批量生產HGE（High Grade Epitaxy），月產3000片。2017年9月和2018年1月，昭和電工又進行了兩次擴產。2018年7月，昭和電工進一步擴大其產能，將HGE產能從每月5000片增加到每月7000片。2019年2月，昭和電工又將碳化硅外延片產能增加到每月9000片。去年9月，昭和電工宣布與ROHM簽訂了功率半導體用SiC外延片的多年長期供應合同。

圖片來源：昭和電工官網

在襯底方面，昭和電工一直在考慮自主生產SiC單晶片。2010年至2015年，作為“未來電力電子技術研發合作伙伴關系”的成員，昭和電工參與了由經濟產業部和新能源與工業技術發展組織（NEDO）主辦和委托的“新型半導體電力電子項目實現低碳排放”。此外，2018年，昭和電工接管了新日鐵住友金屬集團（當前的新日鐵集團）的SiC晶圓相關資產，并從那時起一直在開發大規模生產SiC晶圓的技術。

這一次，昭和電工決定啟動6英寸SiC晶片的內部批量生產。據其稱，目前多家客戶采用了由他們內部生產的6英寸SiC晶片制成的SiC外延晶片。另一方面，昭和電工將繼續從其合作伙伴處購買SiC晶片，以應對電力半導體對SiC外延晶片的快速增長需求。因此，昭和電工將使SiC晶片的來源多樣化，從而為SiC外延晶片建立穩定的供應鏈。

參考來源：昭和電工官網、中金研究

（中國粉體網編輯整理/山川）

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