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西安市印發《“十四五”科技創新發展規劃》,重點突破碳化硅、氮化鎵等第三代寬禁帶半導體用新型電子材料關鍵技術


來源: 中國電子材料行業協會

[導讀]  西安市印發《“十四五”科技創新發展規劃》,重點突破碳化硅、氮化鎵等第三代寬禁帶半導體用新型電子材料關鍵技術。

中國粉體網訊  近日,在西安市人民政府官網上,公布了《西安市“十四五”科技創新發展規劃》(以下簡稱規劃)。規劃中提出要發揮西安新材料產業優勢,圍繞國民經濟和社會發展重大需求,聚焦稀有金屬材料、光電能源材料、空天復合材料、石墨烯材料、汽車輕量化材料、生物醫藥材料、陶瓷基復合材料、增材制造等重點領域,前瞻布局高端新材料、前沿新材料,突破材料性能及成分控制等工藝技術,形成重點領域“材料+器件+裝備”一體化發展優勢,全面提升全市新材料產業競爭力。


電子信息技術章節節選


《規劃》在電子信息技術章節提出要加快碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料生長和表征技術、光電芯片等自主可控技術轉化。大力研制基于GaN基的藍綠光Micro-LED芯片、SiC襯底LED照明、EUV光刻膠等技術,重點開展12英寸大尺寸硅片和大尺寸微電子級硅拉單晶等技術攻關。重點發展有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)、高分子發光二極管(PLED)等新一代顯示技術,在平板整機模組一體化設計、玻璃基板制造等領域實現關鍵技術突破。


重點發展5G基礎材料、5G基帶芯片、射頻核心部件、光器件、5G小微型基站設備、5G核心網等5G設備、網絡和服務關鍵技術研發。


新材料章節節選


《規劃》在新材料章節提出要重點研發電子級硅材料、平板顯示材料、電子漿料等專用材料技術。重點突破碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代寬禁帶半導體用新型電子材料關鍵技術,探索碳基半導體材料等光電能源材料技術,石墨烯導電復合材料等低成本批量制備及純化技術研發。


新能源章節節選


《規劃》在新能源章節提出要開展光伏雙面玻璃、透明背板、EVA等高性能輔材技術研究,InGaN(銦鎵氮)太陽能電池技術研發,布局“光伏+”融合技術研發,加快磷酸鐵鋰電池+地面光伏電站技術研發。


開展儲氫合金材料、碳纖維儲氫材料、車載高壓儲氫技術;聚焦研發加氫站關鍵設備及整體制造技術;研制新一代煤催化氣化制氫和甲烷重整/部分氧化制氫技術。


布局前沿技術創新章節節選


《規劃》在布局前沿技術創新章節提出要發揮國家增材制造創新中心等平臺效應,重點研發鈦、鎂、鋁及其合金,及高溫合金粉末、光敏樹脂、高分子絲材等關鍵核心技術,突破一批高端增材制造打印頭、高復雜零部件增材制造設備核心技術。探索形狀記憶聚合物材料(4D打。┑仍霾闹圃觳牧霞夹g、生物(細胞)3D打印等未來前沿技術。擴大增材制造在電子信息、汽車、醫療器械等領域的應用規模。


在新一代人工智能、類腦智能、量子科技、空天科技、生物技術、下一代通信網絡、網絡空間與安全科技、超級計算、智能材料、下一代顯示等前沿領域,支持多路徑探索、交叉融合研發。支持高校院所、行業領軍企業和重大創新平臺牽頭建設未來研究院。發揮好陜西省光子產業創新聯合體優勢,在先進激光與光子制造、光子材料與芯片、光子傳感等重點領域形成具有全球競爭優勢的重大科技成果。


(中國粉體網編輯整理/山川)

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