中國粉體網訊  1月12日，山東天岳先進科技股份有限公司（下稱“天岳先進”，SH：688234）在上交所科創(chuàng)板上市。

我國第三代半導體材料碳化硅的龍頭企業(yè)

據公開資料顯示，天岳先進成立于2010年，主營業(yè)務是寬禁帶半導體（第三代半導體）碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產和銷售，產品可應用于微波電子、電力電子等領域。

圖片來源：天岳先進

目前，天岳先進主要產品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底。經過十余年的技術發(fā)展，其已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環(huán)節(jié)的核心技術，自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。

天岳先進歷年來承擔了國家核高基重大專項（01專項）項目、國家新一代寬帶無線移動通信網重大專項（03專項）項目、國家新材料專項、國家高技術研究發(fā)展計劃（863計劃）項目、國家重大科技成果轉化專項等多項國家和省部級項目，走在國內碳化硅襯底領域前列。

主營業(yè)務已躋身全球前三

近年來，天岳先進在半絕緣型碳化硅襯底領域市場占有率大幅提升，已進入行業(yè)第一梯隊，直接與國外巨頭競爭。根據國際知名行業(yè)咨詢機構Yole的統計，2019-2020年，在半絕緣型碳化硅襯底領域，天岳先進按銷售額統計的市場份額均位列全球第三。2020年，天岳先進市場占有率較上年增長12個百分點達到30%，大大縮小了與國外競爭對手的差距。

資料來源為：Yole

出眾的研發(fā)能力

在國外部分發(fā)達國家對我國實行技術封鎖和產品禁運的背景下，天岳先進自主研發(fā)出半絕緣型碳化硅襯底產品，實現我國核心戰(zhàn)略材料的自主可控，有力保障國內產品的供應，確保我國寬禁帶半導體產業(yè)鏈的平穩(wěn)發(fā)展。目前，天岳先進已同時具備半絕緣型碳化硅襯底材料和導電型碳化硅襯底材料的研發(fā)技術產業(yè)化能力。

截至2021年6月末，天岳先進擁有授權專利332項，其中境內發(fā)明專利86項，境外發(fā)明專利3項。通過數千次的研發(fā)及工程化試驗，天岳先進核心技術不斷創(chuàng)新，所制產品已達到國內領先、國際先進水平。

深受資本青睞，寧德、華為、上汽、廣汽、小鵬紛紛追捧

成立至今，天岳先進深受資本青睞，至今已進行過6輪融資，天岳先進是華為哈勃進軍碳化硅領域的第一步棋。

來源：公告截圖

在戰(zhàn)略投資者繳款認購的名單中，寧德時代旗下問鼎投資、廣汽集團旗下廣祺柒號、上汽集團、小鵬汽車均現身投資榜。

碳化硅半導體行業(yè)的戰(zhàn)略意義

目前，碳化硅半導體主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域，在民用、軍用領域均具有明確且可觀的市場前景。同時，我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發(fā)揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體是面向經濟主戰(zhàn)場、面向國家重大需求的戰(zhàn)略性行業(yè)。

天岳先進主營的碳化硅襯底產品是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優(yōu)勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。

參考來源：

[1]山東天岳先進科技股份有限公司.首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書

[2]天岳先進官網

（中國粉體網編輯整理/山川）

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