中國粉體網訊  1月4日，國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地開工建設。項目總投資超18億元，帶動投資預計超50億元，計劃2023年12月底竣工。 

據悉，國家第三代半導體技術創新中心研發與產業化基地項目位于蘇州納米城，首期占地105畝，總建筑面積超20萬平方米。該基地由蘇州納米科技發展有限公司建設，首期包括國家第三代半導體技術創新中心，及東微半導體總部、漢天下研發中心和鐳明激光研發中心總部等部分定建企業，將布局建設支撐第三代半導體創新發展的3萬平方米高標準潔凈廠房和化學品庫、廢水處理站、110千伏電站等配套設施，以及8英寸BAW（體聲波）濾波器及射頻模組生產線，半導體高端激光研究中心，晶圓與器件性能測試研發工程中心等。 

蘇州工業園區消息稱，項目建成后將加速推動第三代半導體材料、設備，及研發、設計、中試、量產、封裝測試等創新鏈企業集聚發展，輻射集聚50到100家企業，有力支撐第三代半導體關鍵技術攻關和科技成果轉化。

（中國粉體網編輯整理/長安）

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