中國粉體網訊  近日，高性能SiC（碳化硅）模塊廠家利普思半導體已完成近億元人民幣A輪融資，由德聯資本領投，沃衍資本、飛圖創投跟投。該輪資金將主要用于公司無錫與日本研發設備投入，以及研發投入、管理運營和市場推廣。

利普思成立于2019年，專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發、生產和銷售，擁有創新的封裝材料和封裝技術，為新能源汽車、氫能車、光伏等行業應用的控制器提供小型化、輕量化和高效化的功率模塊解決方案。目前，公司已經申請專利26項，其中發明專利13項。

功率半導體作為電能轉換的核心器件，廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、工業控制、光伏和風電等領域，市場空間巨大。據市場研究機構IHS數據，今年我國功率半導體市場規模有望達159億美元（約1015億人民幣），到2024年，全球功率半導體市場規模預計將超過500億美元（約3193億人民幣）。

盡管我國功率半導體市場占據了全球超1/3的規模，但面向高端領域的功率器件國產率極低，高端國產功率模塊的可靠性不足也導致市占率較低，90%以上的中高端MOSFET及IGBT，SiC器件仍然依賴進口。

其難點在于，一是高端功率器件主要應用在新能源汽車、風力發電、光伏等領域，這些領域對功率模組的電氣設計、散熱、機械，可靠性，工藝等方面都有著高要求，國外如英飛凌、三菱等國際大廠早已積累了成熟技術和競爭優勢，但國內的IGBT與SiC模組設計與制造工藝相對落后，處于仍追趕階段。

二是芯片設計方面，小功率芯片通常采用單管電流設計，而大功率芯片需要集成到模組中，通過更多芯片并聯達到大功率電流的效果，尤其是汽車應用中，國內相關模組企業同樣與國際水平存在差距。

目前，利普思的核心產品覆蓋SiC和IGBT兩個品類，其中應用于氫能商用車和光伏的SiC，以及應用在充電樁、工業變頻器、商用車等方面的IGBT已實現批量生產。值得注意的是，盡管SiC作為第三代功率半導體，在性能效率、可靠性和小型輕量化方面具備優勢，但SiC對IGBT的替代主要集中在高端應用市場，在低端市場則是兩者共存的格局。

（中國粉體網編輯整理/山川）

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