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（圖片來源：新華社）

近日，國家最高領導人到山西太原考察調研。在視察山西轉型綜合改革示范區時，據當地一位負責人介紹說：“在看到碳化硅、鈮酸鋰晶體等新材料時，總書記非常感興趣，認為這些是解決‘卡脖子’的產品�！�

“總書記的知識儲備量非常豐富�！边@位負責人印象深刻：“那些繞口的新材料制品名字，總書記也能說上來�！�

（圖片來源：央視記者張曉鵬拍攝）

據山西日報報道，在中國電科山西碳化硅材料產業基地展臺前，聽完當地負責人的介紹，習近平總書記接過一片薄薄的高純半絕緣4H-SIC單晶襯底，仔細地看了看。

據了解，這張形狀如一張光盤大小、厚度僅0.5毫米的4H-SIC單晶襯底主要應用于5G通信和雷達，將在機載、地面、艦載雷達系統等領域實現應用。據悉，僅用11個月時間建成投產的該碳化硅材料產業基地一期，將成為國內最大的碳化硅單晶襯底產業基地。

另據工商時報近日的報道分析，隨著新冠肺炎疫情全球蔓延，在家遠距工作及遠距教學成為新常態，并帶動資料中心服務器、5G高速網絡等需求爆發，其中，5G基地臺及服務器電源系統開始大量采用SiC（碳化硅）元件。

SiC除了5G基地臺應用明顯增加，疫情帶動服務器大量出貨，資料中心規模持續擴大，可提供更低功耗及更高效率的SiC元件開始被電源或備用電源系統大量采用。

同時，中國電子報近日也刊文分析，據市場研究機構Yole預測，碳化硅半導體市場規模將在2024年達到20億美元。當前，我國正在推進5G、數據中心、新能源汽車等多個領域的“新基建”，新基建關注數字化基礎設施，將有力支持高新技術的創新發展，為碳化硅帶來非常廣闊的市場機遇。

據賽迪智庫集成電路研究所副所長朱邵歆介紹，碳化硅材料具有耐高壓、耐高溫、損耗小、開關速度快等特性，制作成的SBD二極管和MOSFET開關管相比硅材料制成的FRD二極管和MOSFET開關管性能更優，在光伏逆變器、新能源汽車、充電樁、變頻家電領域已實現規模應用，具有非常強的推廣前景。

綜上，我們有理由相信：碳化硅材料的新時代已經到來了。

資訊來源：新華社、央視新聞、山西日報、工商時報、中國電子報等。

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