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露笑科技籌劃非公開發行 募資投向碳化硅晶體材料和制備項目


來源:金融界

[導讀]  露笑科技方面表示,公司將繼續專注第三代半導體晶體產業,拓展碳化硅(SiC)在5GGaN-on-SiCHEMT、SiCSBD、SiCMOSFET、SiCIGBT等元器件芯片方面的應用。

中國粉體網訊  2月20日晚間,露笑科技發布公告稱,公司近期正在籌劃非公開發行股票事項,募集資金主要用于投資碳化硅晶體材料和制備項目。公告顯示,露笑科技本次非公開發行的股票數量按照募集資金總額除以發行價格確定,且不超過本次發行前總股本的30%,即4.53億股(含本數),最終發行數量以中國證監會核準的發行數量為準。


    露笑科技方面表示,公司將繼續專注第三代半導體晶體產業,拓展碳化硅(SiC)在5GGaN-on-SiCHEMT、SiCSBD、SiCMOSFET、SiCIGBT等元器件芯片方面的應用,初步擬定產品為4-6英寸半絕緣片以及4H晶體N型導電碳化硅襯底片及其他產品制品,具體項目預算和產品方案正在編制中。


    根據中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟數據顯示,當前主流半絕緣襯底的產品仍以4英寸為主。2017年全球半絕緣襯底的市場需求約4萬片,預計到2020年,4英寸半絕緣襯底的市場保持在4萬片,而6英寸半絕緣襯底的市場有望迅速提升至4-5萬片;2025年-2030年,4英寸半絕緣襯底逐漸退出市場,而6英寸晶圓將增長至20萬片。


    業內人士分析認為,半導體碳化硅襯底及芯片具有重要戰略價值,并且由于半絕緣襯底具備高電阻的同時可以承受更高的頻率,在5G通訊和新一代智能互聯的時代,將具備更為廣闊的應用空間。


    露笑科技董秘李陳濤向記者表示,公司在原有藍寶石生產技術支持下成功研發碳化硅長晶設備,此次擬定增募資投向碳化硅晶體材料和制備項目,將以新技術、新產品發展公司戰略新興產業,為公司在5G通訊行業核心材料供貨領域內打造更強的競爭力。


    此外,2019年12月24日,露笑科技與中科鋼研節能科技有限公司、國宏中宇科技發展有限公司簽署了《半絕緣型碳化硅材料、裝備研發與應用合作協議》。李陳濤告訴記者,目前公司碳化硅長晶設備交付一切順利。


(中國粉體網編輯整理/初末)

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