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小米發(fā)布GaN充電器 第三代半導體材料在消費電子領域加速滲透


來源:全球半導體觀察

[導讀]  近日,國內手機廠商小米發(fā)布GaN(氮化鎵)充電器,業(yè)界再次將目光投向第三代半導體。在小米新品直播發(fā)布會上,小米發(fā)布的一款采用GaN材料的充電器——“小米GaN充電器Type-C 65W”(以下簡稱“小米GaN充電器”)成為發(fā)布會的亮點之一。

中國粉體網(wǎng)訊  近日,國內手機廠商小米發(fā)布GaN(氮化鎵)充電器,業(yè)界再次將目光投向第三代半導體。在小米新品直播發(fā)布會上,小米發(fā)布的一款采用GaN材料的充電器——“小米GaN充電器Type-C 65W”(以下簡稱“小米GaN充電器”)成為發(fā)布會的亮點之一。


據(jù)了解,GaN是第三代半導體材料的代表之一,廣泛應用于航天和軍事等領域,具有超強的導熱效率、耐高溫和耐酸堿等特性,用于充電器上可使充電器實現(xiàn)小體積和輕重量,在充電功率轉換上相比同功率充電器(非GaN)更具優(yōu)勢。


據(jù)介紹,小米GaN充電器最高支持65W快速充電,搭配小米10 Pro可實現(xiàn)50W快充,還可為筆記本充電。小米方面表示,小米GaN充電器在GaN的加持下,體積比小米筆記本標配適配器小約48%,充電效率方面,45分鐘可使小米10 Pro的電量從0%充至100%。


小米的合作伙伴納微半導體(Navitas Semiconductor Inc)發(fā)文表示,小米GaN充電器采用納微半導體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它們針對高頻、軟開關拓撲進行了優(yōu)化,通過FET、驅動器和邏輯的單片集成提供了一個非常小、非常快、易于使用的“數(shù)字輸入,電源輸出”高性能電源轉換模塊。


資料顯示,納微半導體成立于2014年,總部位于美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,是一家GaN Power IC公司,自成立以來就專注于GaN材料的技術運用和創(chuàng)新。納微半導體表示GaNFast功率IC的運行速度比以前的硅(Si)電源芯片快100倍。


據(jù)納微半導體披露,小米在早些時候已投資了納微半導體,為此次合作奠定了基礎。小米的投資策略是通過資金注入,確定產業(yè)鏈上下游合作,同時兼顧投資和業(yè)務的雙重收益。納微半導體表示,通過這次合作公司也得以拓寬銷售渠道。


事實上,目前國內已經(jīng)有不少企業(yè)布局以GaN、SiC(碳化硅)為代表的第三代半導體產業(yè),包括華為、三安光電、耐威科技、海特高新、華潤微、士蘭微等。從產業(yè)鏈角度看,GaN產業(yè)鏈包括上游的材料(襯底和外延片)、中游的器件和模組、下游的系統(tǒng)和應用,而目前國內在各環(huán)節(jié)均已有企業(yè)涉足。


在GaN襯底方面,國內有中稼半導體、中晶半導體、納維科技、鎵特半導體等企業(yè);在GaN外延片方面,國內有晶湛半導體、聚能晶源、世紀金光、聚力成半導體等企業(yè);在GaN制造方面,國內有海威華芯、三安集成、士蘭微等;能訊高能半導體、能華微電子、英諾賽科、大連芯冠科技、江蘇華功半導體等企業(yè)則為GaN IDM企業(yè)。


至于應用方面,GaN此前更多地應用于航天及軍事等領域,5G時代到來將為GaN帶來巨大的市場機遇,如今隨著小米等終端企業(yè)發(fā)布GaN充電器,引起了市場關注,未來將有望在更多消費電子產品看到GaN的身影。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末)

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