中國粉體網訊  半導體是一種介于導體與絕緣體之間的材料，它具有導電性可控的特點。當半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著變化，在純凈半導體中加入微量雜質，其導電能力會急劇增強。自科學家法拉第發現硫化銀以來，半導體材料硅、鍺、硼、銻、碳化硅和氮化鎵等相繼被發現與應用。

我們生活的方方面面都離不開半導體技術，電器、燈光、手機、電腦、電子設備等都需要半導體材料制造，碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）屬于第三代半導體材料，有著非常廣闊的應用前景。

碳化硅與氮化鎵的相同之處

碳化硅與氮化鎵均屬于寬禁帶半導體材料，它們具有禁帶寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點。隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

碳化硅與氮化鎵的優點與不足

碳化硅又叫金剛砂，是用石英砂、石油焦、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物——莫桑石，在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種。目前我國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。

氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，該化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下，產生紫光激光。

碳化硅與氮化鎵的應用領域和難點

碳化硅是當前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對碳化硅的研究很重視，美歐日等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃。

碳化硅因具有很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的首選窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。除此之外，碳化硅材料還可應用于功能陶瓷、耐火材料、冶金原料等應用領域。

碳化硅器件的發展難題不是設計難題，而是實現芯片結構的制作工藝，如碳化硅晶片的微管缺陷密度、外延工藝效率低、摻雜工藝的特殊要求、配套材料的耐溫等。碳化硅生產的另一個問題是環保，由于碳化硅在冶煉過程中會產生一氧化碳、二氧化硫等有害氣體，同時粉塵顆粒如果處理不當，污染非常嚴重。

氮化鎵是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

氮化鎵材料的發展難題有三個，一是如何獲得高質量、大尺寸的GaN籽晶，因為直接采用氨熱方法培育一個兩英寸的籽晶需要幾年時間；二是對于氮化鎵材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，因為氮化鎵極性太大，難以通過高摻雜來獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸，工藝制造較復雜；三是氮化鎵產業鏈尚未完全形成。

碳化硅與氮化鎵的制造工藝

由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造，常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。

法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向為100)基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。據OFweek電子工程網獲悉，珠海一家公司擁有8英寸硅基氮化鎵量產生產線，這是中國首條實現量產的8英寸硅基氮化鎵生產線。當前氮化鎵的工藝制造難題是薄膜冷卻時受熱錯配應力的驅動下，容易發生破裂或翹曲，成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙。

碳化硅與氮化鎵或將成半導體市場主流

隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來，我國半導體材料市場發展迅速。其中以碳化硅與氮化鎵為主的材料備受關注。碳化硅與氮化鎵很多相同的地方，比如均有著好的前景，材料特性優于第一第二代半導體材料等。兩者特性的不同造就了其不同的應用領域，未來，碳化硅與氮化鎵將發揮各自的優勢，相輔相成，一起撐起半導體應用的天空。

盡管如此，但碳化硅與氮化鎵的產業難題仍待解決，如我國材料的制造工藝和質量并未達到世界頂級，材料制造設備依賴于進口嚴重，碳化硅與氮化鎵材料和器件方面產業鏈尚未形成等，這些問題需逐步解決，方可讓國產半導體材料屹立于世界頂尖行列。（粉體網編輯整理/橙子）