中國(guó)粉體網(wǎng)訊 未來的雷達(dá)成像系統(tǒng)和5G通信系統(tǒng)在高頻率工作時(shí)將具有更高的分辨率和更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，但同時(shí)會(huì)增加功率消耗。為了降低功耗，提高性能和降低成本，歐洲啟動(dòng)“洞察力”（INSIGHT）項(xiàng)目（下一代高性能CMOS SoC技術(shù)的III-V族半導(dǎo)體納米線集成）旨在開發(fā)III-V族CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)。
該項(xiàng)目的參研單位包括德國(guó)應(yīng)用固體物理研究所（IAF）、法國(guó)的微/納米技術(shù)研發(fā)中心CEA-LETI、瑞典隆德大學(xué)、英國(guó)格拉斯哥大學(xué)、愛爾蘭廷德爾國(guó)家研究所和瑞士蘇黎世IBM，旨在建立硅襯底上III-V CMOS制造技術(shù)，以降低成本，節(jié)約材料。INSIGHT項(xiàng)目已獲得歐盟地平線2020研究與創(chuàng)新項(xiàng)目的資助425萬歐元，項(xiàng)目實(shí)施期超過36個(gè)月（從2015年12月到2018年11月）。
INSIGHT項(xiàng)目的使命是開發(fā)化合物半導(dǎo)體材料（III-V CMOS）的互補(bǔ)功能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)毫米波頻域范圍內(nèi)的模擬和數(shù)字功能。III-V族納米線將被用于保持靜電控制，柵極長(zhǎng)度按比例縮小成為未來的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。小的納米線橫截面將進(jìn)一步促進(jìn)利用納米技術(shù)將其集成到硅襯底上。
“使用CMOS兼容工藝在大型硅襯底上制備高性能III-V族半導(dǎo)體組件為最少量的使用的關(guān)鍵材料制造毫米波關(guān)鍵部件開辟了路徑。”INSIGHT項(xiàng)目協(xié)調(diào)員、隆德大學(xué)埃里克·韋爾納松教授說。
IBM預(yù)計(jì)不斷增長(zhǎng)的需求推動(dòng)芯片技術(shù)極限，以滿足認(rèn)知計(jì)算機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和云平臺(tái)等新興需求，因?yàn)樗麄兲幚淼臄?shù)據(jù)量巨大–其中90%是非結(jié)構(gòu)化的。INSIGHT項(xiàng)目開發(fā)的新技術(shù)為芯片技術(shù)超越10nm節(jié)點(diǎn)提供了一個(gè)潛在解決方案，同時(shí)也開放了一系列新的應(yīng)用領(lǐng)域。將III-V材料與硅CMOS集成可以實(shí)現(xiàn)更好的邏輯電路，具有更低的功耗，也可以使系統(tǒng)芯片（SoC）產(chǎn)品充分利用III-V族射頻/模擬指標(biāo)。
在毫米波頻率范圍內(nèi)，提升關(guān)鍵部件性能的需求不斷增長(zhǎng)，新的消費(fèi)類應(yīng)用要求降低成本。這項(xiàng)新技術(shù)為此提供了一個(gè)潛在的解決方案，因?yàn)樗梢栽谕黄脚_(tái)上同時(shí)實(shí)現(xiàn)高性能的模擬和數(shù)字功能，改進(jìn)制造技術(shù)也能夠生產(chǎn)更大的晶圓。INSIGHT項(xiàng)目通過優(yōu)化的材料和設(shè)備性能滿足了演示電路和系統(tǒng)的技術(shù)需要。
為實(shí)現(xiàn)納米線III-V族材料在硅襯底上的異構(gòu)集成，IAF將帶來其III-V族半導(dǎo)體工藝和電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，并對(duì)下一代III-V器件技術(shù)的發(fā)現(xiàn)和成果轉(zhuǎn)化感興趣。
LETI的參研領(lǐng)域涉及硅組件部分和集成電路與嵌入式系統(tǒng)部分，包括從材料到電路演示。該技術(shù)有望將多種功能集成到一個(gè)單芯片中，擴(kuò)展了LETI的智能設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)。
III-V族CMOS技術(shù)可能特別適合于能夠檢測(cè)和產(chǎn)生通信、雷達(dá)和成像信號(hào)的毫米波前端。INSIGHT的目標(biāo)是開發(fā)用于接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)，同時(shí)探索晶體管的幾何形狀和布局的限制。
該項(xiàng)目合作單位的專業(yè)知識(shí)涵蓋了從材料，設(shè)備，一直到電路和系統(tǒng)的全部領(lǐng)域，使該團(tuán)隊(duì)可進(jìn)一步走向商業(yè)產(chǎn)品的技術(shù)路線，這是不可忽視的。
該項(xiàng)目的參研單位包括德國(guó)應(yīng)用固體物理研究所（IAF）、法國(guó)的微/納米技術(shù)研發(fā)中心CEA-LETI、瑞典隆德大學(xué)、英國(guó)格拉斯哥大學(xué)、愛爾蘭廷德爾國(guó)家研究所和瑞士蘇黎世IBM，旨在建立硅襯底上III-V CMOS制造技術(shù)，以降低成本，節(jié)約材料。INSIGHT項(xiàng)目已獲得歐盟地平線2020研究與創(chuàng)新項(xiàng)目的資助425萬歐元，項(xiàng)目實(shí)施期超過36個(gè)月（從2015年12月到2018年11月）。
INSIGHT項(xiàng)目的使命是開發(fā)化合物半導(dǎo)體材料（III-V CMOS）的互補(bǔ)功能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)毫米波頻域范圍內(nèi)的模擬和數(shù)字功能。III-V族納米線將被用于保持靜電控制，柵極長(zhǎng)度按比例縮小成為未來的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。小的納米線橫截面將進(jìn)一步促進(jìn)利用納米技術(shù)將其集成到硅襯底上。
“使用CMOS兼容工藝在大型硅襯底上制備高性能III-V族半導(dǎo)體組件為最少量的使用的關(guān)鍵材料制造毫米波關(guān)鍵部件開辟了路徑。”INSIGHT項(xiàng)目協(xié)調(diào)員、隆德大學(xué)埃里克·韋爾納松教授說。
IBM預(yù)計(jì)不斷增長(zhǎng)的需求推動(dòng)芯片技術(shù)極限，以滿足認(rèn)知計(jì)算機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和云平臺(tái)等新興需求，因?yàn)樗麄兲幚淼臄?shù)據(jù)量巨大–其中90%是非結(jié)構(gòu)化的。INSIGHT項(xiàng)目開發(fā)的新技術(shù)為芯片技術(shù)超越10nm節(jié)點(diǎn)提供了一個(gè)潛在解決方案，同時(shí)也開放了一系列新的應(yīng)用領(lǐng)域。將III-V材料與硅CMOS集成可以實(shí)現(xiàn)更好的邏輯電路，具有更低的功耗，也可以使系統(tǒng)芯片（SoC）產(chǎn)品充分利用III-V族射頻/模擬指標(biāo)。
在毫米波頻率范圍內(nèi)，提升關(guān)鍵部件性能的需求不斷增長(zhǎng)，新的消費(fèi)類應(yīng)用要求降低成本。這項(xiàng)新技術(shù)為此提供了一個(gè)潛在的解決方案，因?yàn)樗梢栽谕黄脚_(tái)上同時(shí)實(shí)現(xiàn)高性能的模擬和數(shù)字功能，改進(jìn)制造技術(shù)也能夠生產(chǎn)更大的晶圓。INSIGHT項(xiàng)目通過優(yōu)化的材料和設(shè)備性能滿足了演示電路和系統(tǒng)的技術(shù)需要。
為實(shí)現(xiàn)納米線III-V族材料在硅襯底上的異構(gòu)集成，IAF將帶來其III-V族半導(dǎo)體工藝和電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，并對(duì)下一代III-V器件技術(shù)的發(fā)現(xiàn)和成果轉(zhuǎn)化感興趣。
LETI的參研領(lǐng)域涉及硅組件部分和集成電路與嵌入式系統(tǒng)部分，包括從材料到電路演示。該技術(shù)有望將多種功能集成到一個(gè)單芯片中，擴(kuò)展了LETI的智能設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)。
III-V族CMOS技術(shù)可能特別適合于能夠檢測(cè)和產(chǎn)生通信、雷達(dá)和成像信號(hào)的毫米波前端。INSIGHT的目標(biāo)是開發(fā)用于接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)，同時(shí)探索晶體管的幾何形狀和布局的限制。
該項(xiàng)目合作單位的專業(yè)知識(shí)涵蓋了從材料，設(shè)備，一直到電路和系統(tǒng)的全部領(lǐng)域，使該團(tuán)隊(duì)可進(jìn)一步走向商業(yè)產(chǎn)品的技術(shù)路線，這是不可忽視的。
