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砷化鎵（GaAs）是鎵和砷元素的化合物。它是具有閃鋅礦晶體結構的III-V直接帶隙半導體。砷化鎵用于制造微波頻率集成電路，單片微波集成電路，紅外發光二極管，激光二極管，太陽能電池和光學窗口等設備。GaAs通常用作外延生長其他III-V半導體的襯底材料，包括砷化銦鎵，砷化鋁鎵等。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化鎵單晶片。
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