日本的產業技術綜合研究所（產綜研）于近日成立了“納米電子元件研究中心”。目的是推進半導體元件的微細化，以及開發取代CMOS晶體管微細化的、基于新原理的技術。
　　該中心將推進32nm及22nm工藝半導體元件的微細化和高性能化。為此，將從高性能元件的試制及其電特性測試、納米級別的物理測量評價分析、第一原理電子狀態計算、元件模擬等全方位的科學計算分析。
　　此外，還將開發取代CMOS晶體管微細化的、基于新原理的技術。這是因為，32nm工藝以后的微細化需要導入新材料、新構造及新生產工藝，但該領域預計到2020年左右將達到極限。通過開發基于新原理的技術，有望解決這一問題。將建立與外部機構共用的研發設施“NeIP（納米電子技術創新平臺）”，與產綜研的其他部門及外部機構合作，將其用作把基本技術與元件實證相結合的設施。將以CMOS技術為基礎，高效試制新材料及新構造元件，推進可將測定數據和模擬試驗結果進行系統性積累的知識管理。
　　另外，該中心為了推進新一代半導體的研發，將繼續推進通過NEDO（新能源產業技術綜合開發機構）委托的國家項目“半導體MIRAI項目”培育的技術。產綜研的新一代半導體研究中心等參與了半導體MIRAI項目。產綜研稱，半導體MIRAI項目在應變硅技術及高介電常數柵極絕緣膜技術等領域，在保持 CMOS晶體管構造的前提下提高性能方面取得了巨大成果。但是，隨著CMOS晶體管的尺寸逐漸接近10nm原子水平，需要開展包括半導體之外的技術領域在內的研發等，因此產綜研決定設立納米電子元件研究中心。