中國粉體網訊  近日，通遼市政協助力招商引資碳化硅產業園項目舉行簽約儀式。

儀式上，庫倫旗人民政府與中科復材（吉林）科技有限公司進行了簽約，項目內容主要涉及碳化硅粉體材料加工、碳碳復材加工以及碳碳復材剎車盤加工等。

據了解，碳化硅產業園項目由通遼市政協積極推進，項目總投資55億元，占地270畝，分三期滾動投資建設，計劃三年內全部達產。其中，一期投資5億元，建設年產15萬噸半導體級碳化硅粉體材料加工廠；二期投資25億元，建設年產50萬平方米碳碳復材加工廠；三期投資25億元，建設年產30萬套（件）碳碳復材剎車盤加工廠。

碳化硅：卓越的半導體材料

碳化硅是第三代半導體，因其理想的物理特性，相比傳統半導體材料硅，在高能耗和極端環境中更具優勢，碳化硅器件具備能耗更優，體積更小，高穩定性，適用于電動汽車、光伏逆變、航空航天、工業等領域。相比傳統的硅材料，其優勢在于：

• 高硬度與耐磨性：莫氏硬度為9.5，僅次于金剛石，是理想的耐磨材料。

• 高熱導率：熱導率（4.9W/cm·K）是硅的3倍，散熱性能優越，適合高溫環境。

• 高擊穿電場強度（2-4MV/cm）：是硅的10倍，可承受更高電壓、適用于高壓器件。

• 寬禁帶寬度：3.2eV，SiC-4H,可耐于600攝氏度以上溫度，抗輻射性強。

• 高電子飽和速率：是硅的2倍，支持高頻操作，如5G通信和雷達系統。

碳化硅（SiC）是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展。

來源：內蒙古自治區政協、粉體網

（中國粉體網編輯整理/空青）

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