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【原創(chuàng)】DAY2:新機(jī)遇,再出發(fā)——第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)交流會(huì)圓滿落幕


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  第三屆半導(dǎo)體用陶瓷材料技術(shù)大會(huì)圓滿落幕

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  4月26日,由中國(guó)粉體網(wǎng)主辦的“第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)交流會(huì)”在江蘇蘇州圓滿落幕。昨日13位專(zhuān)家大咖與大家分享了各自的研究成果和研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),令人受益匪淺,今天的報(bào)告同樣精彩!

洪若瑜研究員首先介紹了碳化硅特性和應(yīng)用領(lǐng)域,分析了碳化硅粉體的市場(chǎng)情況,并對(duì)碳化硅粉體的制備方法進(jìn)行了綜述。最后,洪若瑜研究員介紹了其所在團(tuán)隊(duì)從九十年代至今三十年來(lái)的工作情況和取得的進(jìn)展。


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福州大學(xué)洪若瑜研究員作《高純碳化硅的生產(chǎn)與應(yīng)用》報(bào)告


李輝副研究員詳細(xì)介紹了高溫溶液法生長(zhǎng)SiC單晶的優(yōu)勢(shì),并對(duì)中國(guó)科學(xué)院物理研究所最近在液相法生長(zhǎng)SiC單晶的研究進(jìn)展進(jìn)行了介紹。她表示,高溫液相法有望成為繼PVT法之后制備尺寸更大、結(jié)晶質(zhì)量更高且成本更低的SiC單晶的方法。



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中國(guó)科學(xué)院物理研究所李輝副研究員線上作《液相生長(zhǎng)碳化硅單晶研究進(jìn)展》報(bào)告


傅仁利教授介紹了先進(jìn)電子封裝中應(yīng)用的陶瓷材料及其封裝技術(shù),重點(diǎn)介紹了陶瓷基板的流延成型工藝和金屬化技術(shù),分析了基于陶瓷基板的微電子封裝技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)特點(diǎn)。

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南京航空航天大學(xué)傅仁利教授作《基于陶瓷基板封裝的幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)》報(bào)告


近些年,SiC單晶整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈在不斷發(fā)展,“四高兩涂”也不斷為SiC單晶生產(chǎn)鏈提供高純?cè)虾秃牟牡呐鋫洹4黛隙麻L(zhǎng)詳細(xì)介紹了第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)用“四高兩涂”碳基材料及裝備的技術(shù)現(xiàn)狀,并分享了頂立科技研究團(tuán)隊(duì)近年來(lái)在此領(lǐng)域的研究進(jìn)展。

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 湖南頂立科技股份有限公司戴煜董事長(zhǎng)作《第三代半導(dǎo)體用“四高兩涂”材料及裝備的技術(shù)現(xiàn)狀與展望》報(bào)告


在碳化硅晶體切割過(guò)程中,晶體切割技術(shù)與過(guò)濾技術(shù)相結(jié)合,可有效地去除切割產(chǎn)生的微小顆粒,提高切割質(zhì)量和效率。孫作青總經(jīng)理就碳化硅晶體切割過(guò)濾設(shè)備及工業(yè)自動(dòng)控制系統(tǒng)、技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域進(jìn)行了詳細(xì)介紹。


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江蘇宇佳智能裝備有限公司孫作青總經(jīng)理作《碳化硅晶體切割中的高效亞微米
在線過(guò)濾技術(shù)》報(bào)告


半導(dǎo)體器件碳化物涂層化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種重要的半導(dǎo)體器件制造設(shè)備。紀(jì)相權(quán)副總經(jīng)理介紹了企業(yè)主營(yíng)產(chǎn)品及研發(fā)實(shí)力,針對(duì)半導(dǎo)體器件用設(shè)備進(jìn)行了闡述。

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浙江晨華科技有限公司副總經(jīng)理紀(jì)相權(quán)作《半導(dǎo)體器件碳化物涂層化學(xué)氣相沉積設(shè)備》報(bào)告


徐永寬副院長(zhǎng)分別就PVT法、TSSG法、HTCVD法等碳化硅單晶生長(zhǎng)方法的原理、特點(diǎn)、發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行介紹,分析各種生長(zhǎng)方法面臨的問(wèn)題,并從單晶生長(zhǎng)工藝角度提出了對(duì)碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備和關(guān)鍵原輔材料的需求,最后簡(jiǎn)單介紹了近期的研究工作進(jìn)展。


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天津理工大學(xué)功能晶體研究院徐永寬副院長(zhǎng)作《碳化硅單晶生長(zhǎng)方法及面臨的挑戰(zhàn)》報(bào)告


晚宴盛況


4月25日,中國(guó)粉體網(wǎng)舉辦了答謝晚宴。晚宴現(xiàn)場(chǎng)高朋滿座,主辦方為各位與會(huì)專(zhuān)家、企業(yè)代表準(zhǔn)備了精彩的文藝表演和游戲互動(dòng)節(jié)目。

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中國(guó)粉體網(wǎng)會(huì)展事業(yè)部總經(jīng)理孔德宇先生晚宴致辭


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晚宴現(xiàn)場(chǎng)


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文藝表演



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互動(dòng)節(jié)目獲獎(jiǎng)嘉賓合影

第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會(huì)暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)交流會(huì)已圓滿落幕。新國(guó)際形式下,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要想加速國(guó)產(chǎn)化,就需要在多個(gè)環(huán)節(jié)、多方面協(xié)調(diào)發(fā)展。本次會(huì)議不僅為半導(dǎo)體和陶瓷行業(yè)搭建了一個(gè)有效的溝通平臺(tái),也推動(dòng)了SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)的交流與合作,為行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。


(中國(guó)粉體網(wǎng)蘇州報(bào)道/空青)

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作者:空青

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