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產業政策

河北省科技廳：將碳化硅襯底等列入重點研發項目！

2023年，10月，河北省科學科技廳對2023年新一代電子信息和新能源領域擬立項重點研發計劃項目予以公示。其中“低缺陷密度8英寸碳化硅單晶襯底制備技術及應用示范”和“碳化硅功率器件用高導熱陶瓷封裝技術研發”兩個項目在列。

蘇州新政：碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產業重點發展

蘇州市人民政府印發《關于加快培育未來產業的工作意見》，開展碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等單晶襯底及外延材料制備，推動寬禁帶半導體電力電子器件、射頻器件等關鍵部件研發及產業化。

經國務院批準，決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制

2023年7月3日晚間，商務部、海關總署聯合發布公告，對鎵和鍺兩種金屬相關物項實施出口管制。其中，鎵相關物項包含氮化鎵、砷化鎵、銦鎵砷等；鍺相關物項包含磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺等。該公告自2023年8月1日起正式實施。

2023湖南省重點建設項目公布，三安半導體碳化硅項目在列

2023年4月，湖南省發改委發布2023年省重點建設項目名單，湖南三安半導體產業基地項目總投160億元，主要建設碳化硅等化合物第三代半導體等的研發及產業化項目，項目垂直整合了自襯底材料-外延生長-晶圓制造-到封裝測試等環節。

3項碳化硅晶片相關團體標準開始征求意見

T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準標記及尺寸》等3項系列標準已完成征求意見稿的編制，并于2023年3月22日起開始征求意見，截止日期為2023年4月21日。

科技前沿

微電子所在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

中國科學院微電子研究所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第14屆氮化物半導體國際會議。

新成果！浙大科創中心8英寸碳化硅襯底研制成功

浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯合實驗室經過系列技術攻關，在大尺寸碳化硅（SiC）單晶生長及其襯底制備方面取得突破，成功生長出厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠，并加工獲得了8英寸碳化硅襯底片，成功躋身8英寸碳化硅俱樂部。

電科材料6英寸碳化硅外延片產業化取得重大進展

電科材料6英寸碳化硅外延片產業化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產能力實現大幅提升。電科材料持續布局第三代半導體外延材料研發生產，實現一系列技術突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發。

廈門大學成功突破8英寸碳化硅外延技術

2023年3月，廈門大學成功實現了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同質外延生長，成為國內首家擁有并實現該項技術的機構。廈門大學科研團隊負責人表示，其克服了8英寸襯底應力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現了基于國產襯底的碳化硅同質外延生長。

日本大阪公立大學等首次證實半導體材料3C-SiC具有高熱傳導率

由日本大阪公立大學與東北大學、AIR Water及美國伊利諾大學組成的研究團隊證實確認AIR Water開發的半導體材料3C-SiC具有高傳導率，由于其成本相對較低，可制成大直徑晶圓，將可望有助于實現高散熱性器件。

行業動態

《中國碳化硅襯底產業發展研究報告（2023～2026）》重磅推出！

為幫助企業全面系統了解碳化硅襯底產業發展現狀，發現市場機會，把握產業趨勢，中國粉體網粉體大數據研究通過對國內外主要碳化硅襯底企業進行調研，收集大量的產業數據、權威報道和技術文獻資料等，推出《中國碳化硅襯底產業發展研究報告（2023～2026）》。

粉體大數據研究|《中國碳化硅功率器件市場行情動態及發展趨勢報告》正式推出！

為幫助企業全面系統了解國內外碳化硅功率器件產業發展現狀及趨勢，發現市場投資機會，把握產業未來發展趨勢，中國粉體網粉體大數據研究推出《中國碳化硅功率器件市場行情動態及發展趨勢報告》。

SiC襯底企業同光股份完成F輪融資

河北同光半導體股份有限公司宣布完成F輪融資。同光股份表示，所融資金將用于進一步加速重點項目布局，加筑技術壁壘，構建企業級生態體系，培養第三代半導體行業人才。

山東粵海金半導體科技有限公司研制出8英寸碳化硅晶體

2023年11月21日，山東粵海金半導體科技有限公司宣布自主研制的SiC單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型SiC晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時已經順利加工出8英寸SiC襯底片。

中電化合物首批次8英寸SiC外延片交付

中電化合物首批次8英寸SiC外延片交付！自2019年11月1日公司成立，中電化合物歷時四年，不斷實現從0到1的突破，自主研發、生產的6英寸碳化硅晶錠、襯底片和外延片早已實現穩定量產。2023年在8英寸碳化硅產品的研發和生產上也獲得了重大進展。

三星切入碳化硅功率半導體業務

三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經任命安森美半導體前董事洪錫俊（Stephen Hong）擔任副總裁，負責監管相關業務。

64.5億！中國香港將建首個8英寸碳化硅晶圓廠

中國香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設中國香港首間碳化硅8英寸先進垂直整合晶圓廠。據科技園公司介紹，該項目的總投資額預約港幣69億元，按規劃通線、擴產，于2028年達到年產量24萬片碳化硅晶圓，帶動年產值超過港幣110億元。

科友半導體自產首批8英寸碳化硅襯底下線

2023年9月，科友首批自產8英寸SiC襯底于科友產學研聚集區襯底加工車間成功下線，這標志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產業化方面邁出了堅實一步。

天岳先進新簽8.05億元碳化硅襯底大單

2023年8月，天岳先進發布公告，公司與客戶F簽訂了一份框架采購協議，約定2024年至2026年公司向合同對方銷售碳化硅產品，按照合同《產品供貨清單》，預計含稅銷售三年合計金額為人民幣80,480.00 萬元（最終以實際數量結算金額為準）。

住友電工將生產碳化硅晶圓，將使電動汽車行駛里程延長10%

據日經亞洲報道，日本汽車供應商住友電氣工業株式會社將開始生產用于下一代半導體的節能碳化硅晶圓，預計將使電動汽車的行駛里程延長10%。住友電工計劃投資約300億日元（約合2.14億美元），用于支付在富山縣建設新工廠的費用，該工廠將在2027年開始大規模生產碳化硅晶圓。該投資額還將用于擴建兵庫縣現有工廠的生產能力。

安森美宣布與博格華納擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作

2023年7月19日，安森美宣布與博格華納擴大碳化硅方面的戰略合作，協議總價值超10億美元（約合人民幣72.2億元）。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。

志橙半導體創業板IPO獲受理，擬募資8億元用于SiC材料項目

2023年6月27日，深圳市志橙半導體材料股份有限公司在深市創業板提交招股書申報稿。志橙半導體本次擬募資8億元，用于SiC材料研發制造總部項目、SiC材料研發項目、發展和科技儲備資金。

欣銳科技與安森美半導體共同打造的聯合實驗室已正式投入使用

2023年6月，欣銳科技與安森美半導體共同打造的聯合實驗室已正式投入使用。欣銳科技提到，與安森美成立聯合實驗室的目的是通過對核心功率器件，特別是SiC的應用技術進行先期研究，為新能源汽車車載電源提供支持與保障。

合盛硅業布局碳化硅！

合盛硅業發布公告，公司控股子公司寧波合盛新材成功研發碳化硅半導體材料并具備量產能力。

新能源汽車市場需求火熱，巨頭扎堆GaN

2023年5月，歐洲確立了一項高達6000萬歐元（約合人民幣4.55億元）的氮化鎵（GaN）科研項目，旨在建立從功率芯片到模塊的完整供應能力。除了牽頭人英飛凌，另有其45家合作伙伴參與其中。

SK集團釜山新廠將量產碳化硅，產能擴大近3倍

據韓國媒體The Elec報道，SK集團于2023年5月16日宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式投入批量生產，這意味著SK集團的SiC（碳化硅）半導體產能將擴大近3倍，預計2026年SK powertech銷售額增長將超過5000億韓元（約合3.74億美元）。

國產SiC打進國際供應鏈體系

2023年4月27日，天岳先進在2022年年報中披露，2022年其與博世集團簽署長期協議，加入博世集團的碳化硅襯底片供應商行列，以支持下游車企對高功率設備不斷增長的需求。5月4日，英飛凌宣布，他們與天科合達和天岳先進兩家碳化硅襯底廠商簽訂SiC襯底和晶錠的多年合作協議。

深圳基本半導體車規級碳化硅芯片產線正式通線  

2023年4月24日，深圳基本半導體有限公司車規級碳化硅芯片產線通線儀式在深圳市光明區舉行。該產線的順利通線，將全面提升粵港澳大灣區第三代半導體制造實力和核心競爭力，助力國內車規級碳化硅芯片供應鏈實現自主可控。

揚杰科技：投資10億元擬建6英寸碳化硅晶圓項目

2023年4月20日，揚州揚杰電子科技股份有限公司發布公告稱，公司已于4月18日與揚州市邗江區政府簽署《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬在當地投資新建6英寸碳化硅晶圓生產線項目，總投資約10億元。

碳化硅芯片設計公司與清華大學汽研院聯合，建立“碳化硅聯合研發中心” 

2023年3月24日，清華大學蘇州汽車研究院和深圳市至信微電子在蘇州吳江區正式簽約共建“碳化硅聯合研發中心”，旨在推動碳化硅技術在汽車電子領域的研究和運用，加速第三代半導體碳化硅在新能源車產線前端應用的落地與定制開發。

特斯拉將減少75%的碳化硅的使用

特斯拉在投資者活動日上表示，“我們下一代平臺將減少75%的碳化硅。”該言論曾引起了各界對碳化硅半導體發展的擔憂。

2023年SiC功率元件市場產值估將突破22億美元

據 TrendForce集邦咨詢 研究統計，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。

晶盛機電成功推出6英寸雙片式碳化硅外延設備

2023年2月4日，晶盛機電舉行6英寸雙片式碳化硅外延設備新品發布會。據介紹，該產品歷時兩年的研發、測試與驗證，在外延產能、運營成本等方面已取得國際領先優勢，與單片設備相比，新設備單臺產能增加70%，單片運營成本降幅可達30%以上。

總投資或達30億美元，Wolfspeed與采埃孚擬在德國建設碳化硅半導體工廠 

2023年1月，半導體廠商Wolfspeed計劃與汽車零部件供應商采埃孚合作，在德國薩爾州建設半導體廠。該廠總投資額或達30億美元，計劃在2027年投產、2030年滿產，并有望一躍成為全球最大的碳化硅半導體工廠，產品將主要供應電動汽車、光伏等應用領域。

產業進展

總投資21.2億元！晶盛機電碳化硅襯底片項目簽約

2023年11月4日，晶盛機電舉行“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導體材料端的關鍵核心技術攻關，實現國產化替代，這一舉措標志著晶盛機電在半導體材料領域的技術實力和市場競爭力將進一步提升。

投資近35億元！年產70萬片的SiC襯底項目簽約包頭

2023年10月10日，包頭市人民政府與北京世紀金光半導體有限公司在包頭市正式簽署“年產70萬片6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目”戰略合作協議。該項目由包頭·北京科創基地協助導入，計劃落地包頭市青山區裝備制造產業園區，總投資34.57億元，項目總建設周期為3年，正式投產時將建成年產70萬片6-8寸單晶襯底生產線，同時包含碳化硅單晶長晶和切磨拋加工與檢測等。

國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目竣工投產 

2023年9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術創新中心主辦的第三代半導體產業創新發展大會在江寧開發區舉行。10個總投資額超百億元產業項目在大會上簽約，國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目竣工投產。

天科合達SiC項目開工

2023年8月8日上午，江蘇天科合達碳化硅襯底二期擴產項目開工活動在徐州經開區舉行，新增16萬片產能，預計2024年8月投產，屆時江蘇基地的總產能將達到23萬片。

平煤神馬1000噸碳化硅半導體材料項目開工

2023年5月24日，八礦新能源綠色礦山綜合利用項目在八礦開工。同時，1000噸碳化硅半導體材料項目在平頂山電子半導體產業園開工。項目建成后，預計產能位居全國前列，產品在國內市場占有率在30%以上，全球市場占有率在10%以上。

泰科天潤北京SiC總部項目開工建設 

2023年3月27日，北京市重點工程泰科天潤總部項目舉行開工奠基儀式。泰科天潤總部項目位于中關村順義園第三代半導體產業基地，規劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設。

國內首條GaN半導體激光器芯片量產線投產

2023年3月22日，國內首條GaN半導體激光器芯片量產線投產發布會在廣西柳州舉行。颶芯科技建成的國內首條GaN半導體激光器芯片量產線包含8大工藝站點，擁有全球領先的半導體量產設備100余臺，涵蓋襯底、外延，工藝與封測等各生產環節，標志著GaN半導體激光器芯片實現了進口替代和自主可控。

（中國粉體網編輯整理/山川）

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