中國粉體網訊 美國主要汽車行業芯片材料供應商Coherent(原名II-VI)吸引了四家日本企業集團對其碳化硅業務的投資興趣,據一位知情人士透露,這項業務估值高達 50 億美元。
這項投資將減輕Coherent公司的財務負擔,該公司表示將在未來 10 年內投資 10 億美元擴大碳化硅晶圓的生產,與傳統硅制造的芯片相比,這有助于提高電動汽車的續航里程。
消息人士稱,電裝公司、日立公司、三菱電機公司和住友電氣工業公司已就收購Coherent公司碳化硅業務的少數股權進行了討論說。
消息人士補充道,Coherent公司可能會接受其中多家公司作為碳化硅部門的投資者,估值在 40 億至 50 億美元之間。由于此事屬于機密,該消息人士要求匿名。消息人士警告說,沒有任何協議是確定的。
Coherent公司五月份表示將探索其碳化硅業務的選擇,但拒絕發表評論。日本公司的代表沒有立即回應置評請求。
由碳化硅制成的芯片用于需要大量功率轉換的應用,例如電動汽車中的逆變器和傳動系統。
三菱將在其價值 10 億美元的 200 毫米晶圓廠中使用Coherent 的SiC
三菱公司早前表示,將斥資 10 億美元(1000 億日元)在日本建設 SiC 工廠,以提高電動汽車和工業電力的產量,并與Coherent公司簽署了諒解備忘錄 (MOU),以合作大規模制造 SiC 電力電子產品。
新工廠是到 2026 年之前 26 億美元(2600 億日元)投資的一部分,Coherent公司將為三菱電機未來在該工廠生產的 SiC 功率器件開發供應 200 毫米 n 型 4H SiC 基板。
Coherent公司于 2015 年展示了世界上第一款 200 毫米導電基板,并獲得了 GE II-VI 的 SiC 技術許可。2019 年,Coherent公司開始根據 REACTION(歐盟委員會資助的 Horizon 2020 四年期計劃)供應 200 mm SiC 襯底。
“多年來,Coherent公司一直是三菱電機高質量 150 mm SiC 晶圓基板的可靠供應商,”三菱電機半導體與器件部執行官兼集團總裁 Masayoshi Takemi 說道。“我們很高興與Coherent公司建立密切的合作伙伴關系,將我們各自的 SiC 制造平臺擴展到 200 毫米。”
三菱電機在高速列車、高壓工業應用和家電領域的SiC功率模塊市場處于領先地位,于2010年推出了全球首款空調用SiC功率模塊,并成為首家全SiC功率模塊供應商2015年新干線高速列車。
“我們很高興與三菱電機建立合作關系,三菱電機是 SiC 功率器件領域的先驅,也是高速列車(包括日本著名的新干線)SiC 功率模塊的全球市場領導者,”Coherent公司的新企業和寬帶隙電子技術的執行副總裁 Sohail Khan 說道。“我們在向三菱電機供應 SiC 襯底方面擁有悠久的歷史,并期待擴大與他們的關系,以擴展其新的 200 mm SiC 平臺。”
II-VI 公司加速對碳化硅襯底和外延片制造的投資
去年三月,Coherent公司宣布,公司正在加快對 150 毫米和 200 毫米碳化硅 (SiC) 襯底和外延片制造的投資,并在伊斯頓進行大規模工廠擴建、賓夕法尼亞州和瑞典希斯塔。這是該公司此前宣布的未來 10 年內對 SiC 投資 10 億美元的一部分。
全球能源消耗脫碳的緊迫性正在加速“萬物電氣化”,并通過采用碳化硅(SiC)推動電力電子技術發生翻天覆地的變化。碳化硅是一種寬帶隙材料,可實現比硅基電力電子子系統更高效、更緊湊的電力電子子系統。為了滿足全球對 SiC 電力電子不斷增長的需求,II-VI 將在伊斯頓大力建設近 300,000 平方英尺的工廠,以擴大其最先進的 150 毫米和 200 毫米 SiC 襯底和外延的生產規模晶圓。Easton的150毫米和200毫米碳化硅襯底產量預計到2027年將達到相當于每年100萬片150毫米襯底,200毫米襯底的比例隨著時間的推移而不斷增長。希斯塔擴大外延片產能旨在服務歐洲市場。
Sohail Khan 表示:“我們的客戶正在加速實施他們的計劃,以應對電動汽車中碳化硅電力電子器件的預期需求浪潮,我們預計電動汽車將緊隨當前工業、可再生能源、數據中心等領域的采用周期。”新創企業和寬帶隙電子技術執行副總裁。“伊斯頓工廠將在未來五年內將 II-VI 的 SiC 襯底產量提高至少六倍,同時也將成為 II-VI 200 毫米 SiC 外延片的旗艦制造中心,是全球最大的 200 毫米 SiC 外延片制造中心之一。”
II-VI 將利用其在 Kista 開發的業界領先的外延晶圓技術。該技術的獨特之處在于能夠在單個或多個再生長步驟中實現厚層結構,非常適合 1 kV 以上應用中的功率器件。
伊斯頓工廠將由基于燃料電池技術的不間斷且可擴展的微電網供電,以提供高度的供應保證。
(中國粉體網編輯整理/空青)
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