中國粉體網(wǎng)訊  三菱電機日本福山功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產(chǎn)線的安裝，計劃2025財年開始在12英寸硅晶圓新產(chǎn)線上量產(chǎn)，穩(wěn)定供應功率半導體器件，同時布局第四代寬禁帶半導體材料氧化鎵，接下來將繼續(xù)研究氧化鎵功率芯片和功率器件。

12英寸硅晶圓（左）和8英寸晶圓（右）

8月29日，三菱電機宣布其位于日本福山的功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產(chǎn)線的安裝，樣品生產(chǎn)和測試驗證了該生產(chǎn)線加工的功率半導體芯片達到了要求的性能水平。三菱電機計劃2025財年開始在新的12英寸硅晶圓線上大規(guī)模生產(chǎn)，推動穩(wěn)定供應功率半導體器件。功率半導體又稱電力電子器件，其典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等。三菱電機成立于1921年，開發(fā)和生產(chǎn)半導體67年，功率半導體是其業(yè)務增長的主要動力，其半導體產(chǎn)品應用于變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領域。

“三菱電機將集中精力開發(fā)12英寸硅晶圓和8英寸碳化硅（SiC）晶圓。”三菱電機半導體大中國區(qū)總經(jīng)理赤田智史8月30日表示。今年3月，三菱電機宣布將在2026年3月前的五年內(nèi)投資約2600億日元，主要用于新建晶圓廠，增加碳化硅功率半導體的生產(chǎn)，并計劃2026年4月開始稼動位于日本熊本縣菊池市的8英寸碳化硅晶圓新工廠。

位于熊本縣合志市的6英寸碳化硅晶圓廠也要擴產(chǎn)，到2026年碳化硅產(chǎn)能預計擴大到目前的5倍左右。赤田智史表示，預計到2030年，三菱電機碳化硅功率模塊營收占比將提升到30%以上。

三菱電機也在布局研發(fā)第四代寬禁帶半導體材料氧化鎵。今年7月，三菱電機宣布入股成立于2015年的Novel Crystal Technology，該公司主要開發(fā)新型半導體材料氧化鎵。雙方將合作開發(fā)氧化鎵功率半導體，三菱電機功率器件制作所高級技術顧問近藤晴房表示，碳化硅功率模塊的商業(yè)化應用已超10年，現(xiàn)在是時候導入新的寬禁帶材料了，作為新型半導體材料，氧化鎵肯定會面臨很多技術挑戰(zhàn)，三菱電機接下來將繼續(xù)研究氧化鎵功率芯片和功率器件。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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