中國粉體網訊  近日，天岳先進發布公告，公司與客戶F簽訂了一份框架采購協議，約定2024年至2026年公司向合同對方銷售碳化硅產品，按照合同《產品供貨清單》，預計含稅銷售三年合計金額為人民幣80,480.00 萬元（最終以實際數量結算金額為準）。

據悉，該協議期限為合同生效日至 2026 年 12 月 31 日，且協議生效后次月底前，客戶 F 向供應商支付人民幣 1 億元作為本協議的保證金。

訂單方面，去年7月，天岳先進表示與某客戶簽訂了一份長期協議，約定2023年至2025年公司及上海天岳向合同對方銷售價值13.93億元的6英寸導電型碳化硅襯底產品；今年4月，天岳先進又在財報中披露，已經與博世集團簽署長期協議。

今年5月，天岳先進與英飛凌簽訂全新襯底和晶棒供應協議。根據該協議，天岳先進將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的150毫米碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側重于150毫米碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向200毫米直徑碳化硅晶圓過渡。

英飛凌表示，該協議的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額，這不僅有助于保證英飛凌供應鏈的穩定，讓其碳化硅材料供應商體系多元化，還能夠確保英飛凌獲得更多具有競爭力的碳化硅材料供應。

產品方面，目前天岳先進以6英寸導電型碳化硅襯底為主，滿足全球客戶的需求。產能上，天岳先進上海臨港工廠已經進入產品交付階段，持續發力提升6英寸襯底的產量；晶體質量和厚度持續提升，規模化生產襯底質量穩定可靠。通過自主擴徑技術制備的高品質8英寸產品，目前也已經具備產業化能力。

今年5月消息，上海臨港新片區管理委員會對外公示了《關于“天岳半導體碳化硅半導體材料項目（調整）”》的環評審批意見。

根據環評審批意見公示，天岳半導體將通過優化生產工藝、調整生產設備、原輔材料和公輔環保設施等方式，提高產品質量和產量。調整后，6英寸SiC襯底的生產規模將擴大至每年96萬片。

據了解，上海臨港項目于2021年確立，總投資25億元。彼時，天岳先進正在推進上市進程，其計劃募資20億元投向臨港項目的建設，擴充SiC半導體材料產能。該項目已于2022年3月成功封頂，并在最近開始交付。

值得注意的是，按照之前的規劃，臨港項目全部達產后，SiC襯底的產能約為30萬片/年，而通過此次的產能調整，臨港項目產能將擴大220%，達96萬片/年。

此外，在技術及研發方面，天岳先進持續保持較高的技術研發投入，積極布局前瞻性技術。做為一種有潛力的碳化硅單晶制備新技術，液相法備受關注。通過液相法獲得均勻且高品質的晶體需要對溫場和流場進行控制，具有較高的技術難度，天岳先進在該技術上布局多年。

天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業內首創。

除了產品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，采用天岳先進最新技術制備的晶體厚度已突破60mm，而這對提升產能具有重要意義，該技術也是天岳先進重點布局的技術方向之一。

（中國粉體網編輯整理/空青）

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