中國粉體網訊  8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）器件晶圓下線。至此，該實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。

碳化硅（SiC）是化合物半導體材料，具備極好的耐壓性、導熱性和耐熱性，是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。在智能網聯汽車、新能源儲能等新興賽道的高速牽引下，化合物半導體快步走向臺前。

九峰山實驗室在充分調研及大量驗證測試的基礎上，充分梳理關鍵工藝及工藝風險點，周密制定開發計劃，在4個月內連續攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關鍵工藝問題，系統性地解決了一直困擾業界的溝槽型碳化硅MOSFET器件的多項工藝難題。

瞄準化合物半導體領域，作為九大湖北實驗室之一的九峰山實驗室，成立于2021年，不到兩年便建設完成，今年3月投運，已建成目前全球化合物半導體產業最先進、規模最大的科研和中試平臺，以及先進的專業檢測平臺。

今年3月，九峰山實驗室8寸線已實現第一批研發產品樣品交付。

該實驗室相關負責人表示，未來將繼續以基礎性、前瞻性、特色性的原創成果和優質資源支持產業界解決關鍵工藝難題，為合作伙伴提供中立、開放的創新工藝研發平臺，加速技術創新。

（中國粉體網編輯整理/空青）

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