中國粉體網訊  日前，合盛硅業發布公告，公司控股子公司寧波合盛新材近日成功研發碳化硅半導體材料并具備量產能力。

“公司已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶體生長、襯底加工等全產業鏈核心工藝技術，突破了關鍵材料（多孔石墨、涂層材料）和裝備的技術壁壘，目前SiC生產線已具備量產能力，產品良率處于國內企業領先水平，在關鍵技術指標方面已追趕上國際龍頭企業水平。”合盛半導體SiC項目營銷部負責人接受媒體采訪時表示。

近年來，合盛硅業持續布局硅基新材料全產業鏈，夯實穩固工業硅、有機硅發展基礎，并加速在第三代半導體SiC、光伏新能源等領域的產業攻堅，不斷深化合盛作為“全球最完整硅基全產業鏈公司”的行業領軍地位。

科技興國，突破歐美技術封鎖

半導體是指在常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、大功率電源轉換等領域有著廣泛應用，深刻影響著人們的日常工作與生活。

半導體產業鏈發展至今，經歷了三個階段。第一代半導體材料以硅（Si）為代表，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）為代表。前兩代半導體材料技術話語權始終掌握在歐美國家手中，而碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料代表，相比前兩代具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能。

合盛第三代半導體研發&智造基地

合盛硅業順勢而為，于2020年在寧波慈溪成立了寧波合盛新材料有限公司，目前已累計投入近5億元的研發資金，與專家技術團隊一起，全力攻堅第三代半導體SiC，以完成對歐美國家在半導體領域的彎道超車。

創新引領，聚焦質量與效率

提高SiC襯底材料的國產化率、實現進口替代是中國半導體行業急需突破的產業瓶頸。

截止目前，合盛2萬片寬禁帶半導體SiC襯底及外延片產業化生產線項目已通過驗收，并具備量產能力，6英寸晶體良率達到90%，外延片良率達到95%，同時8英寸襯底研發順利，產品各項指標均處于業內領先水平，且擁有自主知識產權，掌握核心研發能力。

合盛上海研發制造中心

為強化科研實力，打造創新引擎。合盛硅業位于上海嘉定區的研發制造中心已全面動工，該項目預計總投資2.5億元，計劃2024年底竣工，達產后年產值約7.1億元。

研發制造中心建成后，將依托公司自有技術，創新攻堅第三代半導體SiC長晶技術和有機硅材料高端產品，助力打造上海SiC晶圓和有機硅產業生態圈。

襯底與外延項目

2022年4月，合盛硅業控股子公司合盛新材主導的 “年產2萬片寬禁帶半導體碳化硅襯底及外延”項目第一階段已完成驗收，預計項目第一階段 年產能為1萬片6英寸碳化硅襯底及外延片。

據了解，該項目 總投資1.3億元，于2021年11月開工建設，2022年1月完成了年產1 萬片寬禁帶半導體碳化硅襯底及外延片產業化生產線生產規模建設，并開始調試試運行。試生產至今，各項設施運行情況正常。

奔赴美好，全新啟程

公司產品一覽

合盛硅業半導體SiC項目各工序全線貫通與全面量產，將進一步推動SiC工藝技術進步，實現進口替代，保障第三代半導體材料的可持續發展，并服務節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，助力新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業的自主創新發展，為中國科技產業升級提供源源不斷的綠色“芯動力”。

（中國粉體網編輯整理/空青）

注：圖片非商業用途，存在侵權告知刪除