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▶ 泰科天潤：碳化硅功率器件(芯片)生產二期項目簽約落戶瀏陽經開區，一、二期項目全部滿產后，產值可達13-15億元。

▶ 振華科技：募資超25億，擬建設6英寸碳化硅器件制造線等項目，年產能為12萬片。

泰科天潤  SiC二期項目簽約

2月3日，長沙市舉行2023年項目簽約活動——共38個項目，其中包含泰科天潤碳化硅功率器件(芯片)生產二期項目。

據了解，2019年泰科天潤在瀏陽經開區落地建設了一條6英寸的碳化硅功率芯片量產線，滿產產值可達13-15億元人民幣。該項目總投資7億元，分兩期建設完成，其中，一期總投資5億元，滿產后可實現6萬片/年的6英寸碳化硅功率芯片，2021年7月，一期項目已經進入生產階段，綜合良率90%以上。

泰科天潤產品布局

除此之外，在2022年底泰科天潤就開始布局碳化硅8寸線，預計2024-2025年實現10萬片/年的產能布局。

振華永光電子  擬建SiC基功率器件制造線

2月7日，振華科技發布公告，振華科技擬非公開發行股票募集資金總額不超過25.18億元，募集資金擬建設半導體功率器件產能提升項目、混合集成電路柔性智能制造能力提升項目等。中國證監會決定對振華科技提交的非公開發行A股股票行政許可申請予以受理。

其中，半導體功率器件產能提升項目總投資為7.9億元，擬建設一條6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線，年產能為12萬片。

此外，該項目還計劃將陶瓷封裝、金屬封裝兩條生產線的燒結、壓焊工序整合，采用自動化設備進行生產，新增產能400萬只/年；并針對現有的塑封生產線進行拓展，新增產能2600萬只/年。

據悉，該項目建設周期為36個月，項目實施主體為振華科技的全資子公司振華永光電子（國營第八七三廠）。

振華科技主業經過持續的結構調整、轉型升級，現已向核心業務新型電子元器件高度集中。IGBT及其模塊、船用真空開關管、微波芯片電容、宇航級熔斷器、大功率接觸器、氣密封微動開關和LTCC濾波器等高端產品取得實質突破，進一步豐富中高端產品技術內涵；超級電容模塊、宇航級電容器、宇航級電阻器、溫補衰減器、MIS硅電容、插件功率電阻等一批新產品實現供貨。

來源：行家說三代半 、瀏陽經開區管委會

（中國粉體網編輯整理/空青）

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