中國粉體網訊  據CINNO Research報道，SiC(碳化硅)材料專業廠商ArcheArche在韓國京畿道公司總部舉行開幕式活動，宣布碳化硅外延片（簡稱SiC Epi）正式量產，啟動硅碳化(SiC)核心材料國產化。

據悉，Arche公司成立于2014年，是一家專注于通過蒸鍍SiC Epi，為半導體設備廠商供應SiC材料的專業廠商。成果開發出電力半導體核心技術之一SiCEpitaxy（Epi）晶圓。去年成功引進了100億韓元（約5496萬人民幣）的投資，今年開始預計將正式產生銷售額。

碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。實際應用中對外延層質量的要求非常高。而且隨著耐壓性能的不斷提高，所要求的外延層的厚度就越厚，成本也會相應調整。

基于SiC的電力半導體市場一般按照SiC晶圓→SiC Epi→芯片廠商→模組→需求企業的結構構成價值鏈。Arche生產從晶圓到芯片的中間過程SiC Epi晶片，并供應給芯片廠商。

Arche目前擁有德國芯片設備制造商愛思強（Aixtron）生產的G4蒸鍍設備。Arche方面進一步引進了新的G5蒸鍍設備(MOCVD)，預計3月份完成建設。在完成對相關設備的爬坡及良率穩定工作后，預計從今年第四季度開始正式量產產品。

電力半導體負責調節需要電力的電子產品、電動汽車、氫能源車、5G通信網絡等電流方向，并起到控制電力轉換的作用。以電動汽車為中心在多個領域應用，最近以SiC為材料制成的電力半導體備受關注。因為與現有硅(Si)等材料不同，SiC在耐久性方面具有卓越性。

SiC功率半導體具有高耐久性的特點，在高溫和高壓的極端環境下可保持98%以上的電力轉換效率。另外，其兼具安全性和通用性，作為代替現有硅電力半導體市場的新一代產品，需求正在激增。

目前，Arche正準備生產用于電動汽車的650V和1200V級SiC Epi晶圓。其目標是未來通過持續研發，開發出除3000V和6000V外，還可用于航空航天、國防領域的12000V級的材料。

Arche公司代表徐尚俊表示，“Arche通過高性能的設備，多年薄膜工藝的Know how，分析系統的最優化，確保了高品質的量產技術“，并稱“在下一代電力半導體市場，阿凱是SiC Epi的專業企業，將引領國內SiC材料技術國產化。”

來源：財經網

（中國粉體網編輯整理/空青）

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