中國粉體網訊  國際碳化硅及相關材料會議ICSCRM（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）是以碳化硅為代表的寬禁帶半導體以及相關材料、器件的產業與學術并重的高水平國際論壇。9月16日，ICSCRM 2022在瑞士達沃斯圓滿落幕，天岳先進參加會議并就8英寸碳化硅襯底最新研發情況作出匯報。

（晶型拉曼圖譜檢測報告）

襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標之一，天岳先進較早布局了8英寸產品的研發，是國內最早研發和布局產業化的企業之一。目前公司8英寸碳化硅襯底研發進展順利，晶型均一穩定，具有良好的結晶質量。

有別于單晶硅等材料在生長過程中可以擴徑的特點，碳化硅襯底材料的擴徑需要先制備大尺寸籽晶，并且需要對缺陷和應力分布等進行嚴格控制。天岳先進從籽晶入手，在粉料合成、熱場設計、工藝固化、過程控制、加工檢測等全流程實現技術自主可控。

公司持續加大8英寸導電型襯底產業化突破。在前期自主擴徑實現8英寸產品研發成功的基礎上，將繼續加大技術和工藝突破，并根據市場需求，積極布局產業化。

天岳先進成立于2010年，是一家專注于寬禁帶半導體碳化硅襯底材料研發、生產和銷售的科技型企業。創立十余年來，在追求品質、保持先進和堅持可持續發展的經營理念指引下，從一家小規模的民營企業發展成中國碳化硅材料行業的領軍企業。我們將繼續始終秉承先進、品質、持續的經營理念，堅持依托先進的管理機制、生產設備、工藝技術向客戶提供高品質產品，追求可持續發展。

（中國粉體網編輯整理/山川）

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