中國(guó)粉體網(wǎng)訊  2019年4月23日，華為成立投資公司——哈勃科技投資有限公司（以下簡(jiǎn)稱哈勃投資）。近日，工商資料顯示，哈勃投資已經(jīng)投資兩家半導(dǎo)體相關(guān)公司，一個(gè)是從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅相關(guān)的山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，另外一個(gè)則是從事電源管理芯片設(shè)計(jì)的杰華特微電子（杭州）有限公司。

山東天岳核心產(chǎn)品是碳化硅材料。這是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要優(yōu)勢(shì)是可以做到高溫、高頻、高效和高功率密度，現(xiàn)在也是功率半導(dǎo)體的一個(gè)投資重點(diǎn)方向，在《中國(guó)制造2025》中4次提到碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體，國(guó)家大基金也把碳化硅列為了重點(diǎn)投資方向之一。

據(jù)其官網(wǎng)顯示，山東天岳碳化硅產(chǎn)品主要有4H-導(dǎo)電型碳化硅襯底材料，其規(guī)格有2英寸、3英寸、4英寸以及6英寸，今后可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED），以及諸如5G通訊、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域。此外，其獨(dú)立自主開(kāi)發(fā)的6英寸N型碳化硅襯底，厚度為350±25微米，每平方厘米微管密度小于1個(gè)，目前產(chǎn)品正處在工藝固化階段。

2017年，山東天岳獲批國(guó)家級(jí)研發(fā)新平臺(tái)——碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)國(guó)家地方聯(lián)合工程研究中心。今年2月27日，山東天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式開(kāi)工。據(jù)此前濟(jì)南市發(fā)改委公布的消息，該項(xiàng)目總投資6.5億元，主要將建設(shè)碳化硅功率芯片生產(chǎn)線和碳化硅電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)模塊生產(chǎn)線各一條，利用廠區(qū)原有廠房的空置區(qū)域建設(shè)。

此次哈勃投資入股山東天岳，或許可以說(shuō)明華為看好第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)前景。國(guó)內(nèi)從事碳化硅項(xiàng)目公司還有三安光電、揚(yáng)杰科技、澳洋順昌、晶盛機(jī)電、藍(lán)海華騰、楚江新材、海特高新等。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/江岸）