中國粉體網(wǎng)訊  中科鋼研碳化硅作為國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)項目，經(jīng)過我國多年研發(fā)并結(jié)合國外引進高科技技術(shù)，應用于眾多高科技領(lǐng)域。近日的全市重點大項目巡禮走近落戶于萊西市的中科鋼研碳化硅項目，萊西將成為我國碳化硅的主要生產(chǎn)基地。

萊西碳化硅生產(chǎn)基地聚能雷達、高鐵

碳化硅作為高精尖技術(shù)，憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能表現(xiàn)，成為當今最受關(guān)注的新型半導體材料之一。采用碳化硅材料制成的電力電子元件可工作于極端環(huán)境和惡劣環(huán)境下，特別適用于軍用武器系統(tǒng)、航空航天、石油地質(zhì)勘探、高速鐵路、新能源汽車、太陽能逆變器及工業(yè)驅(qū)動等需要大功率電源轉(zhuǎn)換的應用領(lǐng)域。

目前，中科鋼研碳化硅項目生產(chǎn)基地，4－6英寸碳化硅片可達到年產(chǎn)40000片，年產(chǎn)值達8－10億元，重點推進方向為軍用領(lǐng)域。據(jù)中科鋼研節(jié)能科技有限公司董事長張巖介紹，碳化硅片的最大優(yōu)勢是，其寬禁帶和抗大電流擊穿能力是普通硅的10－30倍。在眾多高端領(lǐng)域里，碳化硅的使用壽命較普通硅更長。

“比如說在雷達探測距離方面，先進國家在使用碳化硅技術(shù)后，其雷達探測距離可以達到2500公里，而我國僅能達到1200公里。所以國產(chǎn)碳化硅技術(shù)的軍事應用，也可以讓我國的雷達探測距離趕上先進國家水平。”張巖說。此外碳化硅的另一項優(yōu)勢則是節(jié)能，用碳化硅可以使體積變得很小，節(jié)能效應可以達到20－25％，因此在高端領(lǐng)域中將會取代硅和第二代半導體的作用。

國產(chǎn)碳化硅高性價比將應用于更多領(lǐng)域

近年來，碳化硅在國內(nèi)得到了較大的應用，專家普遍認為2020年下半年到2022年將是第三代半導體的爆發(fā)之年，用碳化硅取代硅產(chǎn)品及第二代半導體已經(jīng)成為共識。

而在碳化硅的應用方面，降低成本提高國產(chǎn)碳化硅的合格率，將成為行業(yè)普及的根本。目前，國內(nèi)的碳化硅技術(shù)合格率可以達到45－48％左右，預計在未來兩年可以把合格率提高至65％以上，以接近歐美最高水平。

張巖表示，碳化硅要想在多領(lǐng)域應用，其價格將會成為主導因素。目前，同一級別的芯片美國產(chǎn)品的賣價為每片625美元，而國產(chǎn)的同級別芯片則為每片500美元左右。在此基礎(chǔ)上，中科鋼研碳化硅生產(chǎn)基地在原材料方面做了大量的研發(fā)工作，在降低生產(chǎn)成本提高合格率的前提下，可以使國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品的成本下降35％左右，從而使賣價降到400美元以下。由此，未來將會在新能源汽車、高鐵、電力、通訊等諸多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)碳化硅的大量應用。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）