近日，中科院物理研究所、北京凝聚態物理國家實驗室白雪冬和王恩哥與美國斯坦福大學戴宏杰小組合作，對石墨采用剝離-再嵌入-擴漲的方法，成功制備了高質量石墨烯。相關成果發表在近期的Nature Nanotechnology 3, 538 (2008)上。

    2004年石墨烯(Graphene)的問世引起了全世界新的研究熱潮。石墨烯是單層碳原子緊密排列成二維六角結構的一種碳質新材料。由于石墨烯具有獨特的電子結構，它可以作為驗證物理理論上一些基礎問題的簡單材料體系，并且在器件應用方面也極具潛力。然而，高質量石墨烯的制備及其轉移組裝是目前在實驗上首先要解決的問題。

    白雪冬、王恩哥與其合作者利用透射電子顯微術對石墨烯進行表征并做了深入的晶體結構分析。電學測量表明，所制備的石墨烯在室溫和低溫下都具有高的電導，比通常的用還原氧化石墨方法獲得的石墨烯的電導高兩個數量級。他們通過LB膜組裝技術，將懸浮在溶劑里的石墨烯一層一層地轉移到固體表面，制成大面積的透明導電膜，研究了它們的光學透過率與膜厚的關系。高質量石墨烯及其LB膜的制備對未來石墨烯的大規模應用具有重要意義。

    該成果得到了國家自然科學基金委“創新研究群體”基金及中國科學院的資助。