中國粉體網訊 俄羅斯托木斯克理工大學發布消息稱,該校與德國、委內瑞拉的科學家最近證實了二維半導體硒化鎵在空氣中的易損性,該重要發現有助于制造硒化鎵基超導納米電子產品。研究結果發表在《Semiconductor Science[更多]
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