推薦天津大學首創物理方法合成納米級半導體材料

中國粉體網8月26日訊 論文通訊作者、天津大學材料學院教授杜希文說，當半導體材料直徑在幾納米大小時，可表現出許多獨特的物理性質。如大家熟知的硅，正常體積下將太陽能轉換電能的最高效率為33%，但是當硅的體積為4納米左右時，效[更多]