推薦實現4寸結晶成長，GaN基板將提早量產

中國粉體網訊 據日本化學工業日報報道，三菱化學與日本制鋼所合作研發的氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)基板技術，經確認結晶成長已達4寸。氮化鎵是鎵與氮的化合物，是實現超高效率元件的關鍵材料，業界相當期待正式普[更多]