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原材料: AISiC
成型工藝:模具鑄造成型/CNC
尺寸精度:±0.05mm
平面度:<0.05
粗糙度:外觀面Ra1.6;粘接面Ra2.0以上
*小設計厚度: 0.3mm
·性能參數:熱導率>200(W/mK)25℃℃，線膨脹系數7(CTEppm/C)，密度3.0(g/cm')鍍層處理:化學鍍暗鎳，厚度10-25um
鹽霧時間:48hrs
高溫考核:270°C30min
應用封裝:FPGA/CBGA/CCGA類陶瓷基板封裝用散熱蓋、熱沉
適用領域:航空航天，**國防，通信基站等領域
·材料特性:輕質材料，可降低BGA中每個焊球承受的重量;抗彎強度高，在組裝過程中可以有效控制翹曲以改善焊接;線膨脹系數與陶瓷基板材料及芯片材料相匹配，有效保證了封裝后散熱通道，提高了器件的可靠性
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