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多孔碳/石墨
通常用于Sic晶體生長以減少晶體缺陷。
高孔隙均勻性。
優化氣體傳輸，提高晶體生長速度。
集中孔徑分布。
總雜質少于1 ppm (GDMS)。
可以涂上TaC以提高抗硅腐蝕的能力
也可用于高溫下的固/氣相分離/氣體分配。
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