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氮化鋁是**應用潛力的超寬禁帶半導體材料，具有很多優良的性質，如其禁帶寬度高達6.2eV，同時具有高擊穿場強、高飽和電子遷移率、高化學和熱穩定性，及高導熱、抗輻射等優異性能，因此氮化鋁是紫外/深紫外LED、紫外LD**襯底材料，也是高功率，高電子嬰件理想襯底材料。此外，氮化鋁具有優良的壓電性、高的聲表面波傳播速度和較高的機電耦合系數，是GHz級聲表面波器件的優選壓電材料。
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