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設(shè)備概述

　　反應(yīng)離子刻蝕（RIE）是利用射頻放電使反應(yīng)氣體電離產(chǎn)生活性離子，利用活性離子與工件表面材料進行化合生成揮發(fā)性產(chǎn)物被真空泵抽走，從而實現(xiàn)對工件表面材料的去除，屬干法刻蝕設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導體器件、電力電子器件、光電子、太陽能電池、微機械等領(lǐng)域。

設(shè)備特點

●反應(yīng)壓力恒定、自動控制，工藝重復性好

●工藝氣體噴淋耦合，刻蝕均勻性好

●工藝過程自動控制，操作簡單、方便

技術(shù)指標

●適用晶片尺寸：4"～8"；

●均勻性: ± 5%(片內(nèi)), ± 3%(批間)

●基片臺冷卻:水冷

應(yīng)用范圍

　　用于在基板表面拋光或材料的去除，尤其適用于非金屬材料、氧化物薄膜的快速刻蝕，如多晶硅、SiO2、Si3N4等。