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CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬
CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

101029

品牌

先豐納米

產(chǎn)地

江蘇

樣本

暫無(wú)
江蘇先豐納米材料科技有限公司

金牌會(huì)員

|

第11年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 制作方法:

    .
  • 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):

    .
  • 純度:

    .
  • 目數(shù):

    8 mmx6 mm
  • 品級(jí):

    一級(jí)
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1010291317-33-5XF1631 盒基底尺寸: 8 mmx6 mm

產(chǎn)品名稱

中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬

英文名稱:Single Layer MoSon SiO2/Si

 

性質(zhì)

形態(tài):薄膜

參數(shù)

基底:二氧化硅/硅

基底尺寸:8 mm*6 mm

氧化層:300nm

片徑范圍:20-50 μm

厚度:0.6~0.8 nm

 

應(yīng)用

先豐納米**推出CVD法制備的單層二硫化鉬,相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬,該產(chǎn)品具有缺陷少,層數(shù)可控,優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì),是研究層數(shù)和熒光效應(yīng)和制備器件的優(yōu)異材料,歡迎咨詢。


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